[发明专利]外延结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310535186.6 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104347365A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈孟谷;林宏达;蔡邦彦;张惠政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种方法，包括：
形成具有沟槽的衬底，所述沟槽由隔离区域限定；
在所述沟槽中外延生长第一III-Ⅴ族化合物半导体，所述第一III-Ⅴ族化合物半导体具有第一表面；
蚀刻所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的所述第一表面，以形成所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的改性表面；以及
在所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的所述改性表面上外延生长第二III-Ⅴ族化合物半导体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）腔室中使用MOCVD实施外延生长所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的步骤，并且在外延生长所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的步骤之后，在所述MOCVD腔室中实施蚀刻所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的所述第一表面的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述第一表面包括使用氯化氢（HCl）气体。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面包括第一表面定向，并且所述改性表面包括圆化表面。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一表面包括具有所述第一表面定向的小平面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面包括第一表面定向，并且所述改性表面包括第二表面定向，所述第二表面定向与所述第一表面定向不同。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一表面包括具有所述第一表面定向的小平面，并且所述第二表面定向与所述衬底的第三表面定向不同。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一表面包括具有所述第一表面定向的小平面，并且所述第二表面定向与所述衬底的第三表面定向相同。
9.一种方法，包括：
在衬底上形成沟槽，所述沟槽由邻近的隔离区域限定；
在所述沟槽中外延生长第一III-Ⅴ族化合物半导体，所述第一III-Ⅴ族化合物半导体具有包括小平面的第一表面，在腔室中实施外延生长所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的步骤；
在外延生长所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的步骤之后，蚀刻所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的所述第一表面，以形成所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的改性表面，在所述腔室中原位实施蚀刻所述第一表面的步骤；以及
在所述第一III-Ⅴ族化合物半导体的所述改性表面上外延生长第二III-Ⅴ族化合物半导体。
10.一种结构，包括：
（100）衬底，包括沟槽，所述沟槽由所述衬底上的隔离区域限定；
第一III-Ⅴ族化合物晶体半导体，位于所述沟槽中，所述第一III-Ⅴ族化合物晶体半导体包括远离所述衬底的非（111）表面；以及
第二III-Ⅴ族化合物晶体半导体，位于所述第一III-Ⅴ族化合物晶体半导体的所述非（111）表面上。
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