[发明专利]基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法

权利要求书

1.一种基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于它是由下述步骤组成：

（1）将高分子胶膜放置到已经在基底上制备的厚度小于10个原子层的金属纳米材料薄膜上,加热至高分子胶膜与基底粘接在一起，自然冷却至室温；

（2）将粘在一起的高分子胶膜与基底放置在酸或碱中，待基底完全消除后，上述金属纳米材料薄膜转移至高分子胶膜上。

2.根据权利要求1所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的高分子胶膜是乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、尼龙、聚碳酸酯、聚氨酯、聚四氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、三聚氰氨甲醛树脂、醋酸乙烯中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的基底是柔性卷曲的基底或厚度小于3.3mm的基底。

4.根据权利要求1所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的基底是不锈钢基底、ITO导电玻璃基底、FTO导电玻璃基底、硅片基底中的任意一种。

5.根据权利要求3所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的柔性卷曲的基底是厚度小于1mm的金属箔或导电高分子薄膜基底或金属掺杂的有机导电高分子薄膜基底。

6.根据权利要求5所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的金属箔是不锈钢箔、镍箔、钴箔、钛箔、铝箔中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的导电高分子薄膜是聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔导电高分子薄膜中的任意一种；所述的金属掺杂的有机物高分子导电薄膜是铁、钴、镍、铜、金、银、铟、铂、钠、镁、铝、钛、钼、镉、锰、锌、硅、锡中的任意一种,掺杂到聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的任意一种的导电高分子薄膜。

8.根据权利要求1所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的金属纳米材料薄膜是铂、金、银、铜、铁、镍、铝薄膜中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的酸是浓度为0.001～0.05mol/L的盐酸、0.001～0.05mol/L的硫酸、0.001～0.05mol/L的磷酸、0.001～0.05mol/L的氢氟酸、0.001～0.05mol/L的铬酸中的任意一种或任意两种的组合物。

10.根据权利要求1所述的基底上镀有超薄金属纳米材料薄膜的转移方法，其特征在于：所述的碱是浓度为0.001～0.05mol/L的NaOH、0.001～0.05mol/L的NaHCO₃、0.001～0.05mol/L的NaCO₃、0.001～0.05mol/L的KOH、0.001～0.05mol/L的MgOH、0.001～0.05mol/L的CaOH中的任意一种或任意两种的组合物。