[发明专利]非易失性存储器的管理方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种非易失性存储器的管理方法和装置。

背景技术

在社会高速发展的今天，非易失性存储器（Nonvolatile memory，简称：NVM）的使用已经随处可见，并跟生活息息相关，常见的NVM有，电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EEPROM）和闪存（Flash Memory，简称：FLASH）。比如，公交、社保、银行、电力、身份识别等各个领域都用到的智能卡都广泛使用了NVM。因此，保证NVM中数据高效安全存储就显得尤为重要。智能卡在工作过程中，如果发生断电或其他不可预知的错误，导致智能卡擦除或者写入数据过程异常终止，将会使写入数据不正确，这样就严重威胁数据完整性和安全性。因此需要有一种解决方案来完成数据的断电保护问题。

当前，解决断电保护问题一般是采用备份区来完成，即，在存储区申请一块备份区，用户更新数据的流程如下：

步骤1、写旧数据到备份区；

步骤2、写备份区标识；

步骤3、写新数据到原数据区；

步骤4、写备份区清空标识。

通过上述方法来完成数据安全写入，这样，可以保证数据要么就全部写对，要么就没有写数据，不会出现其他情况，从而保证了数据的完整性。但是利用这种方法，安全更新一次数据需要写4次，导致写数据的效率较低。而且，每更新一次数据就需要更新一次备份区，而备份区又是固定的，频繁的对固定区域的操作将大大减少NVM的寿命。

发明内容

本发明提供一种非易失性存储器的管理方法和装置，用以实现提高写数据的效率，提高NVM的寿命。

本发明提供一种非易失性存储器的管理方法，所述非易失性存储器包括一个以上区块，每个区块包括复数个页，每页包括数据区和控制信息区，所述控制信息区保存页地址、用于标识目标页地址为所述页地址的写操作的顺序的页标识、和校验码，所述方法包括；

在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页，根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据，将所述新的页数据写入所述轮换页中；

在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页，当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页，读取所述有效页中的数据。

本发明还提供一种非易失性存储器的管理装置，所述非易失性存储器包括一个以上区块，每个区块包括复数个页，每页包括数据区和控制信息区，所述控制信息区保存页地址、用于标识目标页地址为所述页地址的写操作的顺序的页标识、和校验码，所述装置包括：

第一查询模块，用于在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页；

轮换页获取模块，与所述第一查询块连接，用于根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一页作为轮换页；

新数据获取模块，与所述第一查询模块连接，用于根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据；

数据写模块，用于将所述新的页数据写入所述轮换页中；

第二查询模块，用于在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页；

有效页获取模块，与所述第二查询模块连接，用于当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一页作为有效页；

数据读模块，与所述有效页获取模块连接，用于读取所述有效页中的数据。

在本发明实施例中，每更新一次数据只需要写一次NVM，只需要花费现有技术中1/4的时间，大大提高了写数据的效率。此外，每更新一次数据需要写一次轮换页，而轮换页是不固定的，所以在一定程度上增加了NVM的寿命。

附图说明

图1为本发明NVM的管理方法实施例中NVM的结构示意图；

图2为本发明非易失性存储器的管理方法实施例中读操作的流程示意图；

图3为本发明非易失性存储器的管理方法实施例中写操作的流程示意图；

图4为本发明NVM的管理装置实施例中进行写操作的装置的结构示意图；

图5为本发明NVM的管理装置实施例中进行读操作的装置的结构示意图。

具体实施方式