[发明专利]采用等离子体增强化学气相沉积制备减反射膜的方法

权利要求书

1.一种采用等离子气相沉积制备减反射膜的方法，包括如下步骤：

a）将硅片放置在载板上，并将所述载板置于反应腔内；

b）向所述反应腔内通入反应气体；

c）通过等离子源激发，在所述硅片表面形成减反射膜；

其特征在于，

在所述载板的使用周期内，多次执行所述步骤a）～所述步骤c），执行所述步骤c）的时间与所述载板使用次数之间的关系如下：

T=t₁+d×lnⁿ

其中：

T为每次执行步骤c）的工艺时间；

t₁为初次使用所述载板执行所述步骤c）的工艺时间；

d为参考系数；

n为所述载板的使用次数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气体包括：硅烷和氨气。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅烷的气体通量为0.2slm～2slm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氨气的气体通量为2slm～10slm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c）的执行温度为350℃～450℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行等离子源激发时，等离子射频功率为2000W～8000W。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述步骤c）时，加载在所述载板上的射频电源的射频值为：13.56MHz或360KHz。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行一次所述步骤a）～所述步骤c）的时间为5min～20min。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的方法，其特征在于，所述载板的使用周期为110次～120次。