[发明专利]一种用于防强磁铁对电子式电能表产生误差影响的防窃电方法有效

专利信息
申请号: 201310536892.2 申请日: 2013-11-04
公开(公告)号: CN103592484A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 江振辉;张健辉;朱德省 申请(专利权)人: 江苏林洋电子股份有限公司
主分类号: G01R11/24 分类号: G01R11/24
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 夏平
地址: 226200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 磁铁 电子 电能表 产生 误差 影响 防窃电 方法
【权利要求书】:

1.一种用于防强磁铁对电子式电能表产生误差影响的防窃电方法,其特征是它采用电子式电能表和三个霍尔传感器,所述的电子式电能表包括MCU处理器和计量芯片,所述的三个霍尔传感器安装在电子式电能表的XYZ方向上,用于采样电能表XYZ方向的磁场强度,所述的霍尔传感器的信号输出端与MCU处理器的对应信号输入端相连,MCU处理器与计量芯片双向连接,所述的计量芯片用于采集电能表各项参数,所述的防窃电方法包括以下步骤:

(1) 测得无磁场条件下电能表的误差:在电能表周围无磁场条件下,通过电能表检验装置测得电能误差K0并且传输至计量芯片,计量芯片根据电能误差K0获取电能表磁场修正系数初始值E0并且录入校准寄存器; 

(2) 测得外加磁场条件下电能表误差并建表:在电能表周围采用直流磁场发生器产生外加磁场,通过电能表检验装置测得电能误差K1,重复步骤(2),得到多个磁场条件下对应的电能误差Ki,i为不同磁场强度的个数;根据磁场强度和电能误差Ki建立一个表征磁场强度与相应磁场强度下电能误差对应关系的误差表;

 (3)采用电能表进行常规计量时,由霍尔传感器采样三维磁场强度:由三只霍尔传感器采样电能表XYZ方向的磁场强度x、y、z,由MCU处理器计算出三维磁场强度                                                ,根据磁场强度的大小查找误差表得对应电能误差Kj,1≤j≤i;

(4) 计算电能表磁场修正系数E:计算电能表误差影响量K=K0-Kj,采用下述公式计算电能表磁场修正系数E: ;

(5) 采用电能表磁场修正系数E对电能表的计量值进行校准:通过MCU处理器把算得的电能表磁场修正系数E写入计量芯片的校准寄存器,对电量计量值进行校准,确保计量的准确度。

2.根据权利要求1所述的用于防强磁铁对电子式电能表产生误差影响的防窃电方法,其特征是步骤(2)中:在电能表周围采用直流磁场发生器产生外加磁场,前述外加磁场的范围是1mT~500mt,以步长1mT递增,通过电能表检验装置测得500个磁场条件下对应的电能误差K1-K500

3.根据权利要求1所述的用于防强磁铁对电子式电能表产生误差影响的防窃电方法,其特征是步骤(1)的计量芯片根据电能误差K0获取电能表误差校准初始值E0时,设置计量芯片调整误差在1%内有效。

4.根据权利要求1所述的用于防强磁铁对电子式电能表产生误差影响的防窃电方法,其特征是步骤(3)中,霍尔传感器和MCU处理器之间串接检波放大电路和A/D转换模块。

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