[发明专利]静电保护电路

权利要求书

1.一种静电保护电路，其特征在于，具备：

内部电路；

第1输入端子及第2输入端子，向上述内部电路供给电源电压；

第1晶体管，在上述第1输入端子及第2输入端子间连接第1电极及第2电极，第3电极经由第1电阻与上述第2电极连接；

低通滤波器，在上述第1输入端子及第2输入端子间与上述第1晶体管并联连接；以及

第2晶体管，与上述第1电阻并联连接，第3电极与上述低通滤波器的输出端子连接。

2.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

还具备与上述第1电阻并联连接的第1齐纳二极管。

3.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

上述低通滤波器具备在上述第1输入端子及上述第2输入端子间串联连接的第2电阻及第1电容器，上述低通滤波器的输出端子是上述第2电阻及上述第1电容器间的连接点。

4.如权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，

上述第2电阻设置在上述第1输入端子和上述第2电容器间。

5.如权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，

上述第2电阻设置在上述第2输入端子和上述第2电容器间。

6.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

还具备在上述第1晶体管的上述第2电极和上述第3电极间连接的第1齐纳二极管和在上述第2晶体管的第2电极和第3电极间连接的上述第2齐纳二极管。

7.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

上述第1晶体管及上述第2晶体管是N沟道MOS晶体管。

8.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

上述第1晶体管及上述第2晶体管是P沟道MOS晶体管。

9.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

上述第1晶体管及上述第2晶体管是双极性晶体管。

10.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，

上述低通滤波器是无源型滤波器。

11.如权利要求10所述的静电保护电路，其特征在于，

上述低通滤波器包含运算放大器。

12.一种静电保护电路，其特征在于，具备：

内部电路；

第1输入端子及第2输入端子，向上述内部电路供给电源电压；

第1晶体管，在上述第1输入端子及第2输入端子间连接第1电极及第2电极，第3电极经由第1电阻与上述第2电极连接；

低通滤波器，在上述第1输入端子及第2输入端子间与上述第1晶体管并联连接；以及

第2晶体管，与上述第1电阻并联连接，第3电极与上述低通滤波器的输出端子连接，

上述低通滤波器构成为过滤由静电放电引起的电源电压中的变化，且不过滤由电源接通时的电压上升引起的电源电压中的变化，然后输出与过滤后的电源电压对应的信号。

13.如权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于，

还具备在上述第1晶体管的上述第2电极和上述第3电极间连接的第1齐纳二极管和在上述第2晶体管的第2电极和第3电极间连接的上述第2齐纳二极管。

14.如权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于，

上述低通滤波器包含串联连接的第2电阻和滤波器电容器。

15.如权利要求12所述的静电保护电路，其特征在于，

上述第2晶体管是双极性晶体管。

16.一种静电保护电路，其特征在于，具备：

内部电路；

第1输入端子，向上述内部电路供给电源电压；

第2输入端子，被供给接地电位；

第1晶体管，在上述第1输入端子连接第1电极，在上述第2输入端子连接上述第2电极，且第3电极经由第1电阻与上述第2电极连接；

开关元件，与上述电阻并联连接；以及

低通滤波器，输出与过滤了高频的变化的电源电压对应的信号，

上述开关元件构成为按照来自上述低通滤波器的上述信号而进行开闭。