[发明专利]金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法

权利要求书

1.金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法，包括无菌无性系的建立，快速繁殖，生根培养，试管苗的假植与移栽，离体保存步骤，所述无菌无性系的建立是取金银花芽条或幼茎，先用70%乙醇消毒20s，再用0.1%升汞水溶液灭菌6min,用无菌水冲洗干净，接入培养基中进行快速繁殖，即将幼茎消毒后，去掉叶片，切段，放在培养基①上培养25d，取下茎段上所发出的芽在培养基②上培养60d，继代周期为30d继代1次，再在培养基③上经过30d的培养；所述生根培养是在培养基③上培养，3-4丛芽/瓶接种30d后，选取芽条高度在3cm以上的，截取下来放在培养基④上培养14d-17d开始生根；所述试管苗的假植与移栽是在移栽过渡前，挑出生根培养20d的试管瓶苗，先放在简易荫棚内，10d后移入栽苗基质中，在刚移苗1-2周内,用塑料布盖在移出苗的上面保湿，待苗长出新根或新叶后去掉塑料布，培育30d后移入大田，所述离体保存是用试管生根苗的培养物类型进行离体保存。

2.如权利要求1所述的金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法，其特征在于所述培养基采用：基本培养基为1/2MS（MS大量元素减半，其余成分与MS同），诱导茎段长出腋芽的培养基为①1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L；诱导幼茎段丛芽增殖的培养基为②1/2MS+BA0.5mg/L+IBA0.01mg/L和③1/4MS+BA0.3mg/L；诱导生根的培养基为④1/2MS+IBA3mg/L+PP3330.5mg/L；培养基①②③糖浓度为3%，培养基④糖浓度为2%；培养条件均为：所有培养基PH5.8，培养温度26±2℃，光照时间12h.d^-1，光照强度20-40μmol.m^-2.S^-1。

3.如权利要求1所述的金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法，其特征在于所述栽苗基质选用新黄土与腐叶土各半，混合均匀，再用1份甲醛+水20份制成消毒液，将混合均匀的栽苗基质浇匀，以栽苗基质手摄成团,手散开团也散开为准，用塑料布密封24小时后打开，将栽苗基质装入移苗袋中待用。

4.如权利要求1所述的金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法，其特征在于所述移栽是将培养瓶内取出的试管苗，用流水冲掉试管苗根部所粘琼脂，不伤及叶片和根尖，移入装满基质的塑料袋中，浇定根水放在没有阳光直射的地面。

5.如权利要求1所述的金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法，其特征在于所述试管苗的假植与移栽是在移栽过渡前，挑出生根培养20d,高度4.5-5.5cm，根长度0.5cm以下的试管苗，先放在棚上复盖石棉瓦、四周围70%遮荫网、棚内分两台的简易荫棚内，放置培养瓶以便加强光照，10d后移入栽苗基质中。

6.如权利要求1所述的金银花种苗的快速繁殖和离体保存方法，其特征在于所述离体保存是用试管生根苗在4℃下暗培养，在培养过程中，使金银花培养物原培养条件下每20d-30d继代一次，可延长继代周期至1年。