[发明专利]开放阻焊层和或电介质无效
申请号: | 201310538339.2 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN103811431A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 张蕾蕾;龙·博扎;翟军;祖海尔·博哈里 | 申请(专利权)人: | 辉达公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/528 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;谢栒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开放 阻焊层 电介质 | ||
1.一种封装衬底,包括:
具有芯片安装面和底面的封装结构,所述封装结构具有形成在所述芯片安装面和所述底面之间的多个导电路径,所述导电路径配置为在布置在所述芯片安装面上的集成电路芯片和所述底面之间提供电连接,所述封装结构具有形成在所述芯片安装面中、近似所述封装结构的周长的开口;以及
加强微结构,其布置在所述开口中并且耦连到所述封装结构。
2.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述加强微结构结合到所述开口的底面。
3.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述加强微结构结合到所述开口的侧壁。
4.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述加强微结构延伸到所述芯片安装面以上。
5.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述芯片安装面在阻焊层上,并且所述开口延伸贯穿所述阻焊层。
6.根据权利要求1所述的封装衬底,进一步包括:
安装在所述芯片安装面上的集成电路芯片。
7.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述加强微结构是环。
8.根据权利要求1所述的封装衬底,其中所述封装结构进一步包括:
布置在所述封装结构的所述芯片安装面和所述底面之间的接地参考平面层,其中所述接地参考平面层与所述加强微结构接触。
9.根据权利要求1所述的封装衬底,进一步包括将所述加强微结构耦连到所述封装结构的介电粘合剂。
10.根据权利要求1所述的封装衬底,进一步包括将所述加强微结构耦连到所述封装结构的导电粘合剂。
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