[发明专利]一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器

权利要求书

1.一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：一个用于对接保护带CMOS集成电路芯片结构的限压电路，可能会工作在电源电压超过上述结构击穿电压的电压值下，上述对接保护带结构包括相对重掺杂的P型和N型区域，它们分别位于轻掺杂衬底材料中，用来防止上述轻掺杂衬底材料中的表面反型层，上述相对重掺杂P型和N型区域相互毗邻，上述电路芯片包括：一个具有第一和第二电极的独立齐纳二极管，其反向偏置击穿电压大致等于上述对接保护带结构的击穿电压；将上述第一二极管电极耦合到上述电源第一端的方法；用于将上述第二二极管电极耦合到上述电源第二端上的电压降；一个具有上述导电类型的重掺杂集电极和发射极区域的横向晶体管，重掺杂集电极和发射极区域位于上述芯片表面旁一定间隔处，并且由具有相反导电类型的基极区隔开，上述发射极耦合在上述第二二极管电极上，上述基极和集电极共同耦合在上述芯片结构的工作电路上。

2.根据权力要求1所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：产生上述电压降的器件包括一个芯片外的电阻。

3.根据权力要求1所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：产生上述电压降的器件包括一个芯片内的电阻。

4.根据权力要求1所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：上述电路进一步包括一个耦合在上述横向晶体管基极、集电极和上述齐纳二极管第一电极间的旁路电容。

5.根据权力要求1所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：一个整合了CMOS对接保护带控制电路的单片机，一个将P沟道和N沟道结合的晶体管，其特点是具有毗邻的重掺杂的P型和N型区域，用来防止上述电路中的表面反型层，上述电路包括：一个具有第一导电类型和主表面的半导体衬底；一块位于上述结构中的具有相反导电类型的区域；一个具有第一和第二电极的齐纳二极管，并且与上述相反导电类型区域内的保护带的材料相同；一个与上述相反导电类型区域毗邻的横向晶体管，上述横向晶体管具有一个与上述齐纳二极管第一电极材料相同的基极区，与上述齐纳二极管第一电极材料相同的集电极，紧紧地靠着发射极，因此在紧靠的发射极和集电极间产生了一个横向基极区，与上述齐纳二极管第二电极材料相同的基极连接位于上述集电极周围；用于缩短到上述集电极的基极连接的端子；将上述晶体管发射极耦合到上述齐纳二极管第二电极的端子；将上述齐纳二极管耦合到反向偏置电位源上的端子。

6.根据权力要求5所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：上述集成电路进一步包括一块上述相反导电类型的区域，延伸至上述横向晶体管集电极以下的衬底中。

7.根据权力要求6所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：上述衬底具有N型导电性，上述相反导电区域是一个CMOS P阱，上述齐纳二极管第一电极材料为P沟道晶体管源极和漏极材料，上述齐纳二极管第二电极为N沟道晶体管源极和漏极材料。

8.根据权力要求7所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：上述电路进一步包括将上述齐纳二极管第一电极材料耦合到工作电位源负极端的端子，将上述齐纳二极管第二电极材料耦合到上述工作电位源正极端的端子。

9.根据权力要求8所述的一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：上述最后指定的端子包括一个电阻。