[发明专利]一种固定电压参考电路在审

专利信息
申请号: 201310539081.8 申请日: 2013-11-05
公开(公告)号: CN103558896A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 苏州贝克微电子有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215011 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 固定 电压 参考 电路
【权利要求书】:

1.一种固定电压参考电路,其特征是:一种产生一个输出电压参考关于连接到电源正极的正端口以及第二输出电压参考关于连接到电源负极的负端口,所述电路包括:产生第一个△VBE的装置包含第一对晶体管,在不同电流密度中运行第一对晶体管的装置,从所述第一对晶体管的更高电流密度晶体管的基极到发射极的电压减去所述第一对晶体管的更低电流密度晶体管的基极到发射极的电压的装置;△VBE具有一个电压的正温度系数;产生第一个△VBE的第一个并联和第二个并联的装置;产生第一个负温度系数电压的装置和将其与所述第一个并联合并产生第一电压的装置,选择第一个并联以至于正负温度系数接近相等;产生第二个负温度系数电压的装置和将其与所述第二个并联合并产生第二电压的装置,选择第二个并联以至于正负温度系数接近相等;在所述产生第一负温度系数电压装置上维持一个恒定电流的装置。

2.根据权利要求1所述的一种固定电压参考电路,其特征是:所述维持恒定电流的装置还包括一个稳压器。

3.根据权利要求2所述的一种固定电压参考电路,其特征是:所述稳压器包括:产生第二个△VBE的装置包含第二对晶体管,在不同电流密度上运行第二对晶体管的装置,从所述第二对晶体管的更高电流密度晶体管的基极到发射极的电压减去更低电流密度晶体管的基极到发射极的电压的装置,所述第二对晶体管的△VBE具有正温度系数的电压;产生第二个△VBE的并联电路装置;产生第三个负温度系数电压的装置和将其与第二个△VBE的并联电路合并产生参考电压的装置,选择第二个△VBE以至于正负温度系数接近相等;第一个稳压器装置耦合在正负电极之间从而创建一个调节的电压回路节点;将参考电势耦合到调节器的装置,其中所述调节器在节点处产生调节的电势;从所述节点处运行第一对和第二对晶体管的装置,其中所述第一个△VBE和第二个△VBE实质上不受电源电压的变化影响。

4.根据权利要求3所述的一种固定电压参考电路,其特征是:所述第一对和第二对晶体管采用通用的较高电流密度晶体管。

5.根据权利要求4所述的一种固定电压参考电路,其特征是:所述第一个△VBE与第一电阻器并联产生且第一个和第二个并联是从第二个和第三个电阻器中获得,第二和第三电阻器相连接通过的电流大致等于第一个电阻器中的电流,其中所述并联电路是依靠电阻比值获得的。

6.根据权利要求5所述的一种固定电压参考电路,其特征是:所述第二个△VBE与第四个电阻器并联产生且第二个△VBE的并联与第五个电阻器两端相连接,通过的电流基本上等于第四电阻器中的电流,其中所述第二个△VBE的并联通过第四和第五电阻器的比值获得。

7.根据权利要求6所述的一种固定电压参考电路,其特征是:所述第三负温度系数电压通过串联一对正向偏置的晶体管的发射极基极连接的方式获得。

8.根据权利要求7所述的一种固定电压参考电路,其特征是:还包括第三个△VBE发生器,第二个稳压器装置耦合在所述正负电极之间,用于将第三个△VBE发生器的一个并联电路耦合到所述第二稳压器,为此提供一个参考装置,相比于第二稳压器,将第二稳压器在较高的电压上运行,以及将所述第一稳压器耦合到所述第二稳压器的装置,其中所述稳压器的复合操作进一步稳定所述第一和第二输出电压。

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