[发明专利]一种半导体多电学参数的自动化测试系统

权利要求书

1.一种半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，包括：

测试环境调控单元，其用以提供不同温度、磁场和光照的测试环境；

信号测试单元，其用以测试在所述测试环境下被测样品的电输运参数；

主控单元，其控制所述测试环境调控单元调节所述测试环境，控制所述信号测试单元完成自动化测试以及处理分析上所述被测样品的电输运参数。

2.如权利要求1所述半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，所述信号测试单元包括：

电流源(103)，其与所述被测样品连接，用于提供测试过程中所述被测样品的电流；

纳伏表(104)，用于测试所述测试信号的电压；

程控源表(105)，其与所述被测样品连接，用于测试超高电阻值以及所述被测样品的I-V曲线；

多通道程控开关控制器(106)，用于在测试过程中实现测量样品信号引脚的自动切换；所述样品信号引脚与所述被测样品连接；

霍尔效应卡(107)，其设置在所述多通道程控开关控制器(106)的卡槽中，接口分别与所述电流源(103)、所述纳伏表(104)、所述程控源表(105)以及所述被测样品连接，用于信号隔离以及配合所述多通道程控开关控制器(106)进行所述样品信号引脚的自动切换。

3.如权利要求2所述半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，所述信号测试单元进一步包括远端前置放大器(501)；所述程控源表(105)通过所述远端前置放大器(501)与所述被测样品连接，使所述程控源表(105)可测试高达太欧姆数量级的电阻。

4.如权利要求2所述的半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，进一步包括：所述霍尔效应卡(107)通过三轴屏蔽线与所述电流源(103)、所述纳伏表(104)及所述程控源表(105)连接；所述霍尔效应卡(107)通过BNC线与所述样品信号引脚连接。

5.如权利要求1所述的半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，所述测试环境调控单元包括液氦磁光装置(108)、光源装置(113)、超导磁体电流源(110)与温控仪(111)；

所述液氦磁光装置(108)与所述超导磁体电流源(110)和所述温控仪(111)连接，所述光源装置(113)正对于所述液氦磁光装置(108)设置；

所述超导磁体电流源110与所述温控仪111与所述主控单元连接。

6.如权利要求5所述的半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，所述液氦磁光装置(108)设有样品仓(802)、超导磁体与加热器；

所述样品仓(802)中设有窗片(801)，所述样品仓(802)中容纳所述被测样品；所述光源装置(113)的光线透过所述窗片(801)照射在所述被测样品(4)上形成光照，所述超导磁体电源(110)通过所述超导磁体在所述样品仓(802)中形成磁场，所述温控仪(111)通过所述加热器控制所述样品仓(802)内的温度。

7.如权利要求1所述的半导体多电学参数的自动化测试系统，其特征在于，所述主控单元通过GPIB板卡(5)与所述测试环境调控单元和所述信号测试单元连接。