[发明专利]一种Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3 薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201310539470.0 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN103613145A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 谈国强;董国华;罗洋洋 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C01G49/00 | 分类号: | C01G49/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tb mn 掺杂 剩余 极化 强度 bifeo sub 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能薄膜材料领域,具体涉及一种Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3薄膜及其制备方法。
背景技术
近年来以BiFeO3为代表的多铁性化合物体系,已形成一个世界范围的单相多铁性磁电材料的研究热潮。它在室温下同时具有铁电有序和反铁磁有序,由于具有较高的铁电相变温度(TC=1103K)和磁相变温度(TN=643K)。因此BiFeO3成为可广泛应用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域的重要功能材料。
BiFeO3薄膜最大的问题就是低电阻率,无法在室温下测量其铁电性质。一方面,传统的慢速退火工艺制备BiFeO3时,氧空位在高温退火下达到动态平衡,当退火过程结束,部分氧空位滞留其中,形成氧空位的聚集,引起氧剂量的偏移,这种偏移使得铁价态发生波动(Fe3+转化为Fe2+)。铁价态的波动导致大的漏导,从而使BiFeO3漏电流较大,由于大的漏导使其铁电性无法正确测量而获得饱和极化。另一方面,BiFeO3本身具有的低介电常数和低电阻率等性质致使很难观测到电滞回线。这些特点都大大地限制了其应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3薄膜及其制备方法,该方法设备要求简单,实验条件容易达到,制备的薄膜均匀性较好,掺杂量容易控制,并能够大幅度提高薄膜的铁电性能。
为了达到上述目的,本发明制备Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3薄膜的方法,包括以下步骤:
1)将硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽和醋酸锰按(0.91-0.97):(1-x):(0.08-0.14):x的摩尔比溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,然后搅拌均匀,得到BiFeO3前驱液;其中,BiFeO3前驱液中总的金属离子浓度为0.1~0.5mol/L;x=0.01~0.05;
2)将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜,将湿膜于180~260℃下烘烤得干膜,然后在550℃退火7~12min,得到晶态BiFeO3薄膜;
3)待晶态BiFeO3薄膜冷却后,再重复步骤2)使晶态BiFeO3薄膜达到所需厚度,即得到Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3薄膜。
所述的步骤1)混合液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(1:1)~(4:1)。
所述的步骤1)中硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽和醋酸锰的摩尔比为0.94:(1-x):0.11:x。
所述的步骤2)将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上前,BiFeO3前驱液静置24~32h。
所述的步骤2)中湿膜的烘烤时间为5~10min。
一种采用所述方法制备的Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3薄膜的化学组分为Bi0.89Tb0.11Fe1-x.MnxO3,x=0.01~0.05;其为扭曲钙钛矿结构,为三斜相结构属于P1空间群,剩余极化强度大于100μC/cm2,在400kV/cm的电场下漏电流密度在10-5A/cm2以下。
x=0.01,该Tb和Mn共掺杂高剩余极化强度的BiFeO3薄膜的饱和极化强度为124.2μC/cm2,剩余极化强度为108.1μC/cm2,矫顽场为475.9kV/cm;在100kHz的测试频率下介电常数为215。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
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