[发明专利]电压调节器装置与相关方法

权利要求书

1.一种电压调节器装置，该电压调节器装置包含有：

一带隙参考电路，用来产生一带隙参考电压；

一电压调节器模块，耦接至该带隙参考电路，用来依据该带隙参考电压调节一输入电压以产生一输出电压；

一第一感测模块，耦接至该电压调节器模块，用来感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压，其中在该输出电压瞬间下降的状况下，该第一感测模块基于该输出电压的一变化量减少该输出电压下降的幅度；

一第二感测模块，耦接至该电压调节器模块，用来感测该输出电压的变化、并且将该输出电压的变化转换为一电流信号、以及将该电流信号施加于该电压调节器模块内的一控制端子，以间接地控制该输出电压；以及

一第三感测模块，耦接至该电压调节器模块，用来感测该输出电压的变化以选择性地控制该输出电压，其中在该输出电压瞬间上升的状况下，该第三感测模块基于该输出电压的另一变化量减少该输出电压上升的幅度。

2.根据权利要求1所述的电压调节器装置，其中在该输出电压瞬间下降的状况下，该第一感测模块基于该输出电压的该变化量，从该输入电压的一电压源取得一瞬间电流并将该瞬间电流施加于该电压调节器模块的一输出端子，以减少该输出电压下降的幅度，其中该电压源产生该输入电压，而该电压调节器模块的该输出端子输出该输出电压；以及在该输出电压瞬间上升的状况下，该第三感测模块基于该输出电压的该另一变化量，从该电压调节器模块的该输出端子取得另一瞬间电流并将该另一瞬间电流释放至一接地端子，以减少该输出电压上升的幅度。

3.根据权利要求2所述的电压调节器装置，其中该电压调节器模块包含：

一运算放大器，耦接至该带隙参考电路，用来比较一分压电压与该带隙参考电压，以产生一控制信号；

一晶体管，耦接至该运算放大器、该输入电压、与该电压调节器模块的该输出端子，其中该晶体管基于该控制信号选择性地开启，来调节该输入电压以产生该输出电压；以及

一分压电路，耦接至该电压调节器模块的该输出端子、该晶体管、与该运算放大器，用来产生对应于该输出电压的该分压电压，其中该分压电路包含多个电阻，而该分压电压对该输出电压的比率是依据该多个电阻的电阻值来决定；

其中该第一感测模块与该第三感测模块分别耦接至该运算放大器的一第一电源端子与一第二电源端子；以及

该电压调节器模块内的该控制端子为该晶体管当中用来接收该控制信号的控制端子。

4.根据权利要求3所述的电压调节器装置，其中该晶体管为一P型金属氧化物半导体场效应晶体管；以及该电压调节器模块内的该控制端子为该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，而该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极耦接至该输入电压，且该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极耦接至该电压调节器模块的该输出端子。

5.根据权利要求4所述的电压调节器装置，其中该第一感测模块包含：

一第一电容器，该第一电容器的一第一端子与一第二端子分别耦接至该运算放大器的该第一电源端子以及该电压调节器模块的该输出端子；以及

另一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，该另一P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与漏极分别耦接至该第一电容器的该第一端子与该第二端子，而该另一P型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极耦接至该输入电压；

其中在该输出电压瞬间下降的状况下，该第一电容器将该输出电压耦合至该另一P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，并且该另一P型金属氧化物半导体场效应晶体管从该输入电压的该电压源取得该瞬间电流并将该瞬间电流施加于该电压调节器模块的该输出端子，以减少该输出电压下降的幅度。

6.根据权利要求4所述的电压调节器装置，其中该第二感测模块包含：

一第二电容器，该第二电容器的一第一端子耦接至该电压调节器模块的该输出端子；以及

一感测电路，耦接至该第二电容器的一第二端子与该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；

其中在该输出电压瞬间下降或瞬间上升的状况下，该第二电容器将该输出电压耦合至该感测电路，并且该感测电路将该输出电压的变化转换为该电流信号，以加快该P型金属氧化物半导体场效应晶体管的反应速度。