[发明专利]陶瓷部件与金属部件之间的接合体以及其制造方法有效
申请号: | 201310541164.0 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN103804009B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 南智之;川尻哲也 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 张敬强,严星铁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 部件 金属 之间 接合 及其 制造 方法 | ||
1.一种接合体,其是通过接合层在设于氧化铝或氮化铝的陶瓷部件的凹部上,接合具有Ni覆膜、Au覆膜或基底为Ni的Ni-Au覆膜的Mo或Ti制的金属部件而得到的接合体,上述接合体的特征在于,
上述接合层含有Au、Ge、Ag、Cu以及Ti,且与上述凹部的侧面的至少一部分以及底面接合,
上述接合层的与上述陶瓷部件接合的接合界面上,Ti富集存在,
在将上述接合体沿上述接合体的厚度方向剖切时,气孔的剖面面积总和占上述接合层剖面面积的比例,即气孔率为0.1~15%。
2.根据权利要求1所述的接合体,其特征在于,
Ti聚集在存在于上述接合层的内部的上述气孔的周围。
3.一种接合体的制造方法,上述接合体为权利要求1或2所述的接合体,其特征在于,包含以下工序:
(a)准备设有凹部的氧化铝或氮化铝的陶瓷部件的工序;
(b)在上述凹部的侧面的至少一部分以及底面上涂敷Ag-Cu-Ti膏体,并在真空环境下加热至800℃~900℃,从而在上述凹部的侧面的至少一部分以及底面上形成金属包镀层的工序;以及
(c)在形成了上述金属包镀层的上述凹部的底面上设置Au-Ge薄板,在其上设置具有Ni覆膜、Au覆膜或基底为Ni的Ni-Au覆膜的Mo或Ti制的金属部件,并在真空环境下加热至360~450℃,从而在上述金属部件与上述陶瓷部件之间形成上述金属包镀层和上述Au-Ge薄板变得浑然一体的接合层的工序。
4.根据权利要求3所述的接合体的制造方法,其特征在于,
在上述工序(b)中,上述金属包镀层的厚度设为5~75μm。
5.根据权利要求3或4所述的接合体的制造方法,其特征在于,
在上述工序(b)中,上述Ag-Cu-Ti膏体含有1.50~2.10wt%的Ti。
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