[发明专利]电解电容器电极用铝合金材及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电解电容器电极用铝材。

背景技术

作为铝电解电容器用电极材料一般所使用的铝箔，为了扩大其实效面积、增大每单位面积的静电容量，通常被实施电化学或化学的蚀刻处理。

但是，仅是将箔单单进行蚀刻处理时，得不到充分的静电容量。因此，一般地为了在箔轧制后的最终退火工序中，形成为具有较多的立方体取向的织构，使箔的蚀刻特性提高，曾提出了控制中间退火、冷轧、最终退火条件的方法，或者，为了进而使蚀刻坑均匀且高密度地分布，从箔的合金组成方面出发曾提出了添加各种微量元素的方法。

对于这样的用途，例如，在专利文献1中，公开了铝的纯度为99.98%以上，含有Si、Fe、Cu、Mg，而且控制制造条件从而提高铝箔的立方体取向占有率的制造方法，在专利文献2中，公开了铝的纯度为99.98%以上，含有Si、Fe、Cu、Mn、Pb、In、Tl的合金箔。

在先技术文献

专利文献1：CN1807673A

专利文献2：CN101425382A

发明内容

但是，添加了上述的微量元素的铝材，不是针对近来的电解电容器的高静电容量化的要求得到充分的满足的铝材。

本申请发明是鉴于该技术背景而完成的，其目的在于提供一种能够增大静电容量的电解电容器电极用铝材。

为了解决上述课题，本申请发明人专心研究的结果发现，通过在铝材组成中，使Fe、Si、Cu、Mn、Cr、Mg、Zn、Ga、Ti共存，能够使蚀刻的扩面率增大，还发现通过添加各种微量元素，可相辅相成地得到高静电容量的铝材。即，本申请发明涉及以下内容。

（1）一种电解电容器电极用铝合金材，其特征在于，铝纯度为99.9%以上，含有Fe：5～60ppm、Si：5～60ppm、Cu：8～80ppm、Mn：0.5～20ppm、Cr：0.5～20ppm，还含有Mg：0.2～20ppm、Zn：0.5～20ppm、Ga：0.5～50ppm、Ti：0.2～10ppm，而且，含有V：0.2～10ppm、Zr：0.2～10ppm、B：0.2～20ppm中的一种以上，并且含有Pb：0.2～5ppm、Bi：0.2～5ppm、Sn：0.2～10ppm中的一种以上。

（2）根据（1）所述的电解电容器电极用铝合金材，含有Ni：0.2～10ppm、Mo：0.2～10ppm、W：0.2～10ppm中的一种以上。

（3）根据（2）所述的电解电容器电极用铝合金材，含有Na：0.2～20ppm、Ca：0.2～20ppm、Sr：0.2～20ppm、P：0.2～20ppm中的一种以上。

（4）一种电解电容器电极用铝材的制造方法，其特征在于，包括下述工序：对具有（1）～（3）的任一项中记载的组成的铝合金铸块，在后续实施的面削之前或之后，在500℃～630℃的温度用1小时～50小时的时间实施均质化处理，原样地冷却后，或者，进行再加热在450℃～580℃的温度保持5分钟～20小时后开始热轧，采用多数的压下道次实施了压下率为95%～99.5%的热轧后，接着实施冷轧。

本发明涉及的电解电容器电极用铝合金材，在提高蚀刻坑的密度的同时增大深度，并且使蚀刻坑均匀地分散，通过蚀刻处理能够得到极大的扩面率。因此，具有能够提供具有大的静电容量且电特性优异的电解电容器电极用铝材的效果。

具体实施方式

本申请发明的电解电容器电极用铝合金材，其特征在于，铝纯度为99.9%以上，含有Fe：5～60ppm、Si：5～60ppm、Cu：8～80ppm、Mn：0.5～20ppm、Cr：0.5～20ppm，还含有Mg：0.2～20ppm、Zn：0.5～20ppm、Ga：0.5～50ppm、Ti：0.2～10ppm，而且，含有V：0.2～10ppm、Zr：0.2～10ppm、B：0.2～20ppm中的一种以上，并且含有Pb：0.2～5ppm、Bi：0.2～5ppm、Sn：0.2～10ppm中的一种以上。

以下，详细地说明本申请发明。

本发明涉及的铝合金材，成为能够增大静电容量的电解电容器电极用铝材，是有用的。

（铝纯度）

本发明涉及的电解电容器电极用铝材中，铝纯度需要为99.9%以上，这是由于当为低于99.9%的纯度时，在蚀刻时蚀刻坑的生长因较多的杂质的存在而受到阻碍，即使通过存在本发明范围的微量元素，也不能够形成均匀的深的隧道状的蚀刻坑，因此不能够得到静电容量高的铝材。优选将铝纯度设定为99.98%以上。