[发明专利]半导体封装件和制造半导体封装件的方法在审

专利信息
申请号: 201310541222.X 申请日: 2013-11-05
公开(公告)号: CN103811472A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 朴秀贞 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【说明书】:

优先权声明

本申请要求于2012年11月5日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2012-0124398的优先权,其内容通过引用方式整体并入于此。

技术领域

根据本发明构思的原理的示例性实施例涉及半导体封装件和制造半导体封装件的方法。更具体地,根据本发明构思的原理的示例性实施例涉及包括半导体芯片的半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。

背景技术

从半导体封装件发出的电磁波会在发射范围内产生噪声并对装置产生干扰,并且会使这些装置发生故障或产生错误。可以安装电磁干扰(EMI)屏蔽来防止所述干扰。然而,诸如使用覆盖电子装置的至少一个表面处的辐射板之类的传统屏蔽可能增加最终半导体封装件的厚度,以及降低或限制EMI屏蔽性能。

发明内容

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其包括:安装基板,其具有芯片安装区域和外围区域;第一半导体芯片,其安装在所述安装基板的芯片安装区域上;在所述安装基板上的第一模制部件,其覆盖至少一部分所述第一半导体芯片;多个第一导电连接部件,其穿过至少一部分所述第一模制部件,所述第一导电连接部件分别与设置在所述安装基板的外围区域上的多个接地焊盘电连接;以及电磁干扰(EMI)屏蔽部件,其包括覆盖所述第一半导体芯片并且与所述第一导电连接部件电连接的石墨层。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述第一模制部件暴露所述第一半导体芯片的上表面。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件与所述第一半导体芯片的暴露的上表面电接触。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述第一半导体芯片通过多个凸块与所述安装基板电连接。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件与所述第一导电连接部件电接触。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述第一导电连接部件包括布置在所述接地焊盘上的焊球,并且所述焊球的端部通过所述第一模制部件暴露。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述第一导电连接部件包括导电材料,在所述第一模制部件中形成贯通孔以暴露所述接地焊盘,并且所述导电材料填充所述贯通孔。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件还包括:支撑所述石墨层的支撑层;以及所述石墨层上的导电粘合剂层。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件覆盖所述安装基板的外部侧表面的至少一部分。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其包括堆叠在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,并且其中所述第二半导体芯片通过穿过所述第一半导体芯片的多个贯通电极与所述第一半导体芯片电连接。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其包括:再分配布线基板,其堆叠在所述第一模制部件上,并且与所述第一导电连接部件电连接;第二半导体芯片,其安装在所述再分配布线基板的芯片安装区域上;在所述再分配布线基板上的第二模制部件,其覆盖至少一部分所述第二半导体芯片;以及多个第二导电连接部件,其穿过至少一部分所述第二模制部件,所述第二导电连接部件分别与设置在所述再分配布线基板的外围区域上的多个接地焊盘电连接。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述第二模制部件暴露所述第二半导体芯片的上表面。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件与所述第二半导体芯片的暴露的上表面电接触。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件与所述第一导电连接部件电接触。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其包括:安装基板;第一半导体芯片,其安装在所述安装基板上;在所述安装基板上的第一模制部件,其暴露所述第一半导体芯片的上表面;以及电磁干扰(EMI)屏蔽部件,其包括所述第一模制部件上的覆盖所述第一半导体芯片的石墨层。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体封装件,其中所述EMI屏蔽部件与所述第一半导体芯片的暴露的上表面电接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310541222.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top