[发明专利]阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

显示器的阵列基板是由不同的层结构组成，其中，绝缘层上往往会制作一些通孔以使被绝缘层隔开的导电部分相连通。

然而，由于每层绝缘层上的通孔都需要使用单独的构图工艺进行制作，并且阵列基板上往往包括多个绝缘层，因此通孔制作过程较为复杂。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制作方法，简化了绝缘层通孔的制作过程。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上沉积金属层；

在包括所述金属层的基板上涂布光刻胶；

对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述绝缘层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀；

对所述金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述绝缘层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

在包括所述绝缘层通孔区域光刻胶的基板上沉积绝缘层；

剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔。

可选地，所述金属层为源漏金属层，所述绝缘层为钝化层，所述绝缘层通孔区域为钝化层通孔区域；

所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：

对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线和TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述TFT的漏极处；

在所述形成绝缘层通孔之后，还包括：

在包括所述绝缘层通孔的基板上形成透明电极，使所述透明电极通过所述绝缘层通孔与所述TFT的漏极连接。

可选地，所述金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层；

所述对所述金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀的过程为：

对所述栅极金属层刻蚀区域的栅极金属层进行刻蚀，形成包括栅线、开关TFT栅极和驱动TFT栅极的图案，所述绝缘层通孔区域位于所述驱动TFT的栅极处；

在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之前，还包括：

在包括所述绝缘层的基板上形成有源层；

在所述剥离所述绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔的过程之后，还包括：

在包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层，使所述开关TFT的漏极通过所述绝缘层通孔与所述驱动TFT的栅极连接。

具体地，在所述包括所述绝缘层通孔的基板上沉积源漏金属层的过程之后，还包括：

在包括所述源漏金属层的基板上涂布光刻胶；

对源漏金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使所述源漏金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，钝化层通孔区域为不进行曝光的区域，对所述钝化层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使所述钝化层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；

对所述源漏金属层刻蚀区域的源漏金属层进行刻蚀，形成包括数据线、开关TFT源漏极和驱动TFT源漏极的图案，所述钝化层通孔区域位于所述驱动TFT的漏极处；

对所述源漏金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使所述源漏金属层刻蚀区域和钝化层通孔区域之外的光刻胶被去除，使所述钝化层通孔区域的光刻胶厚度变薄；

在包括所述钝化层通孔区域光刻胶的基板上沉积钝化层，剥离所述钝化层通孔区域的光刻胶，形成钝化层通孔。

具体地，在所述形成钝化层通孔之后，还包括：

在包括所述钝化层通孔的基板上形成透明电极，所述透明电极通过所述钝化层通孔与所述驱动TFT的漏极连接。

具体地，所述半曝光为半色调曝光或灰度色调曝光。

具体地，所述灰化为O₂等离子体灰化。

本发明提供的阵列基板的制作方法，通过半曝光工艺使作为金属层掩模板的光刻胶在通孔区域保留，在沉积绝缘层之后，剥离通孔区域的光刻胶，此时通孔区域的绝缘层被同时剥离，因此无需单独的构图工艺来制作通孔，简化了绝缘层通孔的制作过程，避免了较多的曝光和干刻处理工序对器件均匀性和稳定性的影响。

附图说明