[发明专利]一种半导体共轭聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体共轭聚合物，其特征在于所述的共轭聚合物是基于二维共轭苯并二噻吩和（2-氧吲哚-3-亚基）苯并二呋喃-二酮的半导体共轭聚合物：所述共轭聚合物的结构式为：

其中，R₁为C₈-C₂₀烷烃链，R₂为C₈-C₂₄烷烃链，n≥1。

2.根据权利要求1所述的一种半导体共轭聚合物，其特征在于：所述的R1烷烃链可选择C₈-C₁₂的支链或者C₈-C₂₀的支链烷烃。

3.一种如要求1所述的半导体共轭聚合物的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

以二维共轭二噻吩双锡单体，以（2-氧吲哚-3-亚基）苯并二呋喃-二酮双溴单体为原料，采用Stille交叉偶联反应得到所述的半导体共轭聚合物。

4.根据权利要求3所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于：所获得的半导体共轭聚合物的反应是在以三（二亚苄基丙酮）二钯为催化剂，三（邻甲基苯基）磷为配体的体系下聚合得到的。

5.根据权利3要求所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于，所述的交叉偶联反应温度为80-130oC。

6.根据权利要求3所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于，所述交叉偶联反应时间为6-72小时。

7.根据权利要求3所述的一种半导体共轭聚合物制备方法，其特征在于，所述的二维共轭二噻吩双锡单体、（2-氧吲哚-3-亚基）苯并二呋喃-二酮双溴单体、三（二亚苄基丙酮）二钯、三（邻甲基苯基）磷的用量摩尔比为1:1:0.02:0.04。