[发明专利]具有一个或多个半导体柱形件的半导体布置有效
| 申请号： | 201310542496.0 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104377232B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;郭大鹏;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 一个 半导体 柱形件 布置 | ||
1.一种半导体布置，包括：
衬底区；
第一半导体柱形件，从所述衬底区凸起，其中：
所述第一半导体柱形件的侧壁具有非锥形部和第一锥形部；和
所述侧壁的所述第一锥形部以小于90的内角邻接所述第一半导体柱形件的顶面，其中，所述第一半导体柱形件终止于所述顶面；以及
第二半导体柱形件，从所述衬底区凸起，所述第二半导体柱形件沿着第一轴与所述第一半导体柱形件分离第一距离，所述第一距离介于10nm至30nm之间；
第四半导体柱形件，从所述衬底区凸起，所述第四半导体柱形件沿着所述第一轴与所述第一半导体柱形件分离第三距离，
其中，所述第一距离不同于所述第三距离。
2.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，所述第一半导体柱形件的截面为圆形。
3.根据权利要求2所述的半导体布置，包括从所述衬底区凸起的第五半导体柱形件，所述第五半导体柱形件沿着垂直于所述第一轴的第二轴，与所述第一半导体柱形件分离第二距离。
4.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，沿着所述第一半导体柱形件的第一位置处的第一截面尺寸小于沿着所述第一半导体柱形件的第二位置处的第二截面尺寸。
5.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，所述第一半导体柱形件包括硅。
6.根据权利要求5所述的半导体布置，其中，所述第一半导体柱形件包括多晶硅。
7.根据权利要求1所述的半导体布置，包括围绕所述第一半导体柱形件的至少一部分的栅电极。
8.一种半导体布置，包括：
衬底区；
第一半导体柱形件，从所述衬底区凸起，其中：
所述第一半导体柱形件的侧壁具有非锥形部和第一锥形部；和
所述侧壁的所述第一锥形部以小于90的内角邻接所述第一半导体柱形件的顶面，其中，所述第一半导体柱形件终止于所述顶面；
第二半导体柱形件，从所述衬底区凸起，所述第二半导体柱形件沿着第一轴与所述第一半导体柱形件分离第一距离，所述第一距离介于10nm至30nm之间；以及
第三半导体柱形件，从所述衬底区凸起，所述第三半导体柱形件沿着垂直于所述第一轴的第二轴与所述第一半导体柱形件分离第二距离，所述第二距离介于10nm至30nm之间，
第四半导体柱形件，从所述衬底区凸起，所述第四半导体柱形件沿着所述第一轴与所述第一半导体柱形件分离第三距离，
其中，所述第一距离不同于所述第三距离。
9.根据权利要求8所述的半导体布置，其中，所述第一半导体柱形件的截面为圆形。
10.根据权利要求8所述的半导体布置，包括从所述衬底区凸起的第五半导体柱形件，所述第五半导体柱形件沿着所述第二轴与所述第一半导体柱形件分离所述第二距离。
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