[发明专利]压力传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成有晶体管；

形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述基底和晶体管，在所述层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露；

在所述层间介质层上形成SiGe层，在所述SiGe层与下极板之间形成空腔；

在所述SiGe层上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成第一SiN层，其中，刻蚀停止层比SiGe层的刻蚀选择比高；

刻蚀所述第一SiN层形成按压部和包围按压部的边缘部，至所述刻蚀停止层上表面露出，所述按压部与边缘部相互隔开，所述按压部对应所述空腔位置，在刻蚀所述第一SiN层的过程使用的刻蚀气体包括第一含氟气体；

刻蚀所述刻蚀停止层，至SiGe层露出。

2.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为第一金属层。

3.如权利要求2所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为Ti、TiN、TaN或Ta。

4.如权利要求2所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述刻蚀停止层之前，在所述SiGe层上形成第二SiN层，在所述第二SiN层上形成缓冲层；

在刻蚀第一SiN层后，刻蚀所述刻蚀停止层、缓冲层和部分厚度的第二SiN层，缓冲层的材料使刻蚀所述刻蚀停止层的刻蚀速率和刻蚀所述缓冲层的刻蚀速率相同，刻蚀缓冲层的刻蚀速率大于刻蚀第二SiN层的刻蚀速率；

刻蚀剩余的第二SiN层，至SiGe层露出，刻蚀剩余的第二SiN层过程中使用的刻蚀气体包括第二含氟气体，所述第二含氟气体的含氟量小于第一含氟气体的含氟量。

5.如权利要求4所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述缓冲层之前，在所述第二SiN层上形成第二金属层；或者，

在形成所述缓冲层之前，在所述第二SiN层上形成第二金属层、在所述第二金属层上形成第三SiN层。

6.如权利要求4所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为SiGe、多晶硅或光刻胶。

7.如权利要求6所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀停止层、缓冲层和部分厚度的第二SiN层过程，使用的刻蚀气体为Cl₂、HBr、O₂的混合气体。

8.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀停止层、缓冲层和部分厚度的第二SiN层过程，射频功率范围为450～550W，压强范围为9.5～10.5mTorr，偏置功率范围为54～66W，Cl₂的流量范围为105～132sccm，O₂的流量范围为3～5sccm，HBr的流量范围为105～132sccm。

9.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述第一含氟气体为SF₆、CF₄、CHF₃中的一种或多种。

10.如权利要求9所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一SiN层过程中，射频功率范围为1500～1900W，压强范围为130～210mTorr，偏置功率范围为90～110W，所述第一含氟气体的流量范围为20～45sccm。

11.如权利要求4所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述第二含氟气体为CH₃F。

12.如权利要求11所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀剩余的第二SiN层的过程中，射频功率范围为200～250W，压强范围为45～55mTorr，CH₃F的流量范围为35～45sccm。

13.如权利要求12所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀剩余的第二SiN层的过程中，使用的刻蚀气体还包括O₂，所述O₂的流量范围为30～45sccm。