[发明专利]一种具有空穴注入层的有机发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 201310545301.8 申请日: 2013-11-06
公开(公告)号: CN103811681A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 张翠 申请(专利权)人: 溧阳市江大技术转移中心有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 黄明哲
地址: 213300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 空穴 注入 有机 发光二极管 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有空穴注入层的有机发光二极管的制造方法,包括如下步骤:

发明的发光二极管的制造方法包括如下步骤:

准备衬底,清洁衬底的阳极表面,烘干;

制备阳极,将阳极利用真空溅射覆盖在衬底上面,烘干后除去表面附着的有机沉积薄膜以阳极表面的功函数;

制备空穴注入层,在匀胶机上高速旋涂一层空穴注入层材料,烘干后除去残余溶剂;

所述空穴注入层的材料为具有通式(VIII)的苯并二氢吡喃聚合物,

式中,R11

其中,Z为C7~C30烷基或-CH2CH2-S-(C1~C30烷基),

制备有机发光层,将有机发光层材料采用旋涂或印刷方法形成在阳极表面;

所述有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物,

其中,R1选自C1-C12烷基,C2-C12烯基,C2-C12炔基,C6-C14芳基,C3-C12杂环,C3-C18杂芳基烷基,C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基;

R2选自氢,C1-C12烷基,C2-C12烯基,C2-C12炔基,C3-C12杂环,C3-C18杂芳基烷基,C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基;

R3选自氢,卤素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,叠氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-ORl

R4选自氢,卤素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,叠氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-ORl

R5选自氢,卤素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,叠氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-ORl

R6选自氢,卤素,C1-C12烷基,C2-C12烯基,C6-C14芳基,C5-C14杂芳基,C6-C14芳基烷基,C5-C14杂芳基烷基,C3-C12杂环,C3-C7环烷基或C3-C7环烯基;

A选自-NRjSO2Rk,-ORn,-NRoSO2NRpRq;B选自-CO-,-SO2-;

R1、R6非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素,硝基,-NRaRb,-SO2Rc,-SO2NRdRe,-CONRfRg,-NRhCORi,-NRjSO2Rk,叠氮基,氰基,三氟甲基,三氟甲氧基,C1-C6烷基或-ORl;R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素或-ORm

上述中,Ra,Rb,Rc,Rd,Re,Rf,Rg,Rh,Ri,Rj,Rk,Rl,Rn,Ro,Rp,Rq独立地选自氢或C1-C6烷基或C6-C14芳基;Rm独立地选自氢或C1-C6烷基;

制备阴极,利用真空蒸镀将金属蒸镀在有机发光层的表面上形成阴极。

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