[发明专利]基于重构-等效啁啾和等效半边切趾的DFB半导体激光器及制备方法

权利要求书

1.基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，其特征是所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾技术设计引入的，称为等效相移，等效相移区的位置在取样光栅中心的+/-20%的区域范围内；有一个等效相移被引入到除0级外所有影子光栅中，在第m级影子光栅的光栅周期表示为:

Λm=Λ0PmΛ0+P---(1)]]>

其中，P是取样光栅的取样周期，Λ₀是种子光栅的光栅周期；第m级影子光栅的布拉格波长可表示为：

λm=2neffΛm=2neffΛ0PmΛ0+P---(2)]]>

其中，n_eff是材料的有效折射率；切趾是通过沿激光器腔长方向逐渐改变取样光栅的取样结构即占空比的大小来等效地实现的，并且只在等效相移区的一侧取样光栅中引入等效切趾即所述的等效半边切趾。

2.根据权利要求1所述的基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，其特征在于如果取样结构是周期性的方波，在第±1级取样子光栅中，折射率调制强度和取样占空比的关系为：

Δn±1=Δns×sin(πγ)π---(3)]]>

Δn_±1是取样光栅第±1级子光栅中折射率调制强度，Δn_s是种子光栅的折射率调制强度，γ是取样占空比；取样占空比取0.5时，第±1级子光栅中折射率调制强度最大，对第±1级子光栅布拉格波长的反馈作用最强；选用取样光栅的第±1级子光栅之一作为激射信道；占空比偏离0.5越多，第±1级子光栅中折射率调制强度越小，则对第±1级子光栅布拉格波长的反馈作用越弱。