[发明专利]双层超结肖特基二极管无效
| 申请号： | 201310547265.9 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103594523A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王颖;徐立坤;曹菲;胡海帆 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 超结肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管，其特征在于，包括：功率肖特基器件的漂移区，其中，
所述漂移区采用双层超结结构。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述双层超结结构包括第一层超结结构和第二层超结结构，其中，所述第一层超结结构与阳极接触，所述第二层超结结构与N体区接触。
3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，
所述第一层超结结构的宽度和所述第二层超结结构的宽度相同。
4.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述第一层超结结构的掺杂类型和所述第二层超结结构的掺杂类型相同。
5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，
所述第一层超结结构的掺杂浓度高于所述第二层超结结构的掺杂浓度。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的二极管，其特征在于，
所述第一层超结结构的深度和所述第二层超结结构的深度是根据所述功率肖特基器件的技术参数设定的；和/或
所述第一层超结结构的掺杂浓度和所述第二层超结结构的掺杂浓度是根据所述功率肖特基器件的技术参数设定的。
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