[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由有机电子传输材料掺杂层，钝化材料层和铼的氧化物掺杂层组成，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的锌的化合物，所述有机电子传输材料的HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度在50℃～100℃，所述锌的化合物材料选自氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中至少一种，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种，所述铼的氧化物掺杂层包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的金属材料，所述铼的氧化物材料选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼和三氧化二铼中至少一种，所述金属材料功函数为-2.0eV～-3.5eV。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种，所述有机电子传输材料选自1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中至少一种。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电子传输材料掺杂层材料中所述有机电子传输材料与所述锌的化合物的质量比为3:1～5:1，所述铼的氧化物掺杂层中所述铼的氧化物与金属材料的质量比为1:1～5:1。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电子传输材料掺杂层厚度为50nm～200nm，钝化材料层厚度为20nm～100nm，所述铼的氧化物掺杂层厚度为200nm～300nm。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；及

在电子注入层表面通过电子束蒸镀的方法制备有机电子传输材料掺杂层，所述有机电子传输材料掺杂层包括有机电子传输材料及掺杂在所述有机电子传输材料中的锌的化合物，所述有机电子传输材料的HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度在50℃～100℃，所述锌的化合物材料选自氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中至少一种，接着在所述有机电子传输材料掺杂层表面通过电子束蒸镀方式制备钝化材料层，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种，通过热阻蒸镀的方式在所述钝化材料层表面蒸镀制备所述铼的氧化物掺杂层，所述铼的氧化物掺杂层包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的金属材料，所述铼的氧化物材料选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼和三氧化二铼中至少一种，所述金属材料功函数为-2.0eV～-3.5eV。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种，所述有机电子传输材料选自1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中至少一种。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机电子传输材料掺杂层材料中所述有机电子传输材料与所述锌的化合物的质量比为3:1～5:1，所述铼的氧化物掺杂层中所述铼的氧化物与金属材料的质量比为1:1～5:1。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机电子传输材料掺杂层厚度为50nm～200nm，钝化材料层厚度为20nm～100nm，所述铼的氧化物掺杂层厚度为200nm～300nm。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述热阻蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10^-3Pa～5×10^-5Pa，工作电流为1A～3A，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。