[发明专利]氧化铟锡图案曝光装置

说明书

技术领域

本发明涉及ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）图案曝光装置，其用于在触摸板用的膜电极制造中，在称作PET（Polyethylene terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯）膜的透明膜上形成ITO图案。

背景技术

智能手机和平板电脑终端的画面上的触摸板由在透明膜上形成的透明电极构成。该透明电极由在透明膜上形成的ITO的膜的图案构成。而且，随着近年的智能手机和平板电脑终端的普及，对该ITO膜的配线图案的高精细化的要求提高，而作为实现它的一个手段采用了光刻（Photolithography）。

在光刻中，使描绘有电路图案的掩模与放置于载台上的透明的PET膜重合，利用照相机对在它们各自的表面设置的对位用的膜标记和掩模标记的位置进行观测，并通过图像处理求出它们的位置差分，之后，沿x、y、θ方向调整载台的位置来进行两者的对位，然后，曝光紫外线，将掩模上的图案转印到涂布在PET膜上的感光抗蚀剂。

关于掩模，存在玻璃掩模和膜掩模等，但从性价比的方面出发，主要采用膜掩模，将膜掩模贴合在用于支承它的、由玻璃或树脂等透明体制成的掩模架来使用。

在这样的ITO图案曝光装置中，作为大的问题点，存在上述膜掩模和PET膜的对位困难的问题。

其原因之一是，PET膜上的膜标记由ITO膜（透明电极）形成，而ITO膜对于可视光是透明的，因此对膜标记的位置的识别困难。

因此进行了以下等措施：以ITO膜的透过率低、反射率高的、比近紫外区（波长400nm左右）短的波长进行照射并利用照相机拍摄，或者相对于掩模架的玻璃面垂直地照射，由此增大ITO膜的膜标记和玻璃表面部之间的反射率差。

另外，还提出了以下等方法：在ITO膜上利用金属膜另行形成对准标记（专利文献1）；或在装置侧采用能够根据ITO的分光反射率选择照明波长的结构来进行标记识别（专利文献2）。

专利文献1：日本特开2011-100360号公报

专利文献2：日本特公平5-87763号公报

作为膜标记的位置识别困难的原因，除了ITO膜为透明之外，还有干涉条纹的产生，该干涉条纹使对位的精度大大降低。

在图8中示出了如下状态：在PET膜5’上设有由ITO膜形成的膜标记60’，在膜标记60’上形成有抗蚀膜51’，在此上重合保持于玻璃制的掩模架3’上的膜掩模1’，来进行膜掩模1’的掩模标记10’和膜标记60’的对位，并且，从上方照射照相机的照明装置的照明入射光95。

在膜掩模1’和掩模架3’的掩模架玻璃30’之间存在微米级的微小间隙S，由于该间隙S，如图所示地产生了照明入射光95在掩模架玻璃30’的背面32’反射的反射光与在膜掩模1’的表面12’反射的反射光干涉而出现干涉条纹F的现象。该干涉条纹F随着间隙S的大小的变化而变化。虽然干涉条纹F所具有的光强度变化很小，但由于ITO膜的对位标记60’自身的对比度低，因此存在干涉条纹F成为噪声图像，对基于图像处理的膜标记识别造成妨碍的问题。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术的问题。

为达成上述目的，本发明的ITO图案曝光装置具备：膜掩模，所述膜掩模描绘有待曝光的电路图案；和掩模架，所述掩模架由支承所述膜掩模的透明体构成，该ITO图案曝光装置在具有待形成所述电路图案的ITO膜的透明膜上进行曝光，其特征在于，所述ITO图案曝光装置具有：对位用的膜标记，其具有在所述透明膜上设置的ITO膜；掩模孔，其比所述膜标记大，所述掩模孔设在所述膜掩模的与所述膜标记对应的位置；以及对位用的掩模标记，其设在所述掩模孔的周围。

在以上结构中，通过掩模孔消除了来自膜掩模表面的反射光，消除了其与掩模架背面的反射光之间的干涉条纹，能够良好地进行膜标记的识别。

另外，期望所述ITO图案曝光装置还具备吸附槽，所述吸附槽设于所述掩模架，用于使所述膜掩模的掩模孔的周围吸附于掩模架。利用该结构，防止空气从掩模孔流入，防止了在以孔为中心的广大范围内膜掩模与掩模架之间的贴合度的降低，能够防止曝光分辨率的恶化。

根据本发明的ITO图案曝光装置，具有如下效果：防止了干涉条纹的产生，能够良好地保持膜掩模的图像识别，并能够在维持曝光分辨率的状态下进行高精度的对准曝光。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施方式的概略立体图。

图2是示出本发明的一个实施方式的局部侧剖视图。

图3是示出本发明的一个实施方式的动作的说明图。