[发明专利]制造氧化物薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：

在基板上形成栅极；

在包括所述栅极的所述基板的前表面上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成与所述栅极对应的氧化物半导体层；

在所述基板的所述前表面上形成下数据金属层以覆盖所述氧化物半导体层的上表面和所述氧化物半导体层的端部的侧面，并且所述下数据金属层直接接触所述氧化物半导体层的上表面和所述氧化物半导体层的端部的侧面，在所述下数据金属层的上表面上形成上数据金属层；

通过湿蚀刻对所述上数据金属层进行构图来形成上源极图案和上漏极图案；

使用所述上源极图案和所述上漏极图案作为掩模，通过干蚀刻对所述下数据金属层进行构图，来形成下源极图案和下漏极图案，以形成源极和漏极，该源极包括所述下源极图案和所述上源极图案，并且该漏极包括所述下漏极图案和所述上漏极图案并且以恒定距离与所述源极间隔开；

在包括所述源极和所述漏极的所述基板的所述前表面上形成第一钝化膜；

对所述氧化物半导体层进行热处理；以及

在所述第一钝化膜的前表面上形成第二钝化膜，

其中，在所述氧化物薄膜晶体管制造过程期间，由于位于所述氧化物半导体层的上表面和所述氧化物半导体层端部的侧面的下数据金属层的存在，与所述栅极对应的所述氧化物半导体层没有被暴露于在湿蚀刻中使用的蚀刻剂，

其中，用于构图所述下数据金属层的所述干蚀刻使用SF₆和O₂的混合蚀刻气体或者CF₄和O₂的混合蚀刻气体，并且当使用SF₆和O₂的所述混合蚀刻气体时，硫和氟留在所述源极与所述漏极之间的所述氧化物半导体层的暴露表面上，并且当使用CF₄和O₂的所述混合蚀刻气体时，氟和碳留在所述源极与所述漏极之间的所述氧化物半导体层的暴露表面上，并且

其中，位于所述源极和所述漏极之间的与所述栅极对应的所述氧化物半导体层没有被蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一钝化膜包括SiO₂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使用溅射方法执行所述下数据金属层和所述上数据金属层的形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述上数据金属层包括铜Cu或者Cu合金。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述下数据金属层包括从钼Mo、钛Ti、Mo合金和Ti合金当中选择的至少一种材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏极与所述源极以3μm至10μm之间的距离间隔开。