[发明专利]一种准分布参数微带高通滤波器在审

专利信息
申请号: 201310548468.X 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103595364A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 刘金现;马子腾;汤柏林;孙艳成 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
主分类号: H03H7/12 分类号: H03H7/12;H01P1/203
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266555 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 分布 参数 微带 滤波器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高通滤波器,尤其涉及一种准分布参数微带高通滤波器,属于滤波电路技术领域。

背景技术

微波高通滤波器广泛应用于射频及微波毫米波部件、组件或系统中,用于信号的分割、提取和抑制干扰。作为一种重要的微波部件,其种类繁多,仅按所用传输线类型来分,就可分为波导高通滤波器、同轴线高通滤波器、带状线高通滤波器、微带高通滤波器等;按所用谐振元件类型,又可分为分布参数高通滤波器、集总参数高通滤波器及半集总、准分布参数高通滤波器。

微带高通滤波器,输入输出采用微带线,通常由串联电容和并联电感组合实现,其中串联电容采用分布参数电路实现,如微带缝隙电容、交指电容等,也可以采用分立集总参数元件如贴片电容、单层平板电容等来实现;并联电感可以采用分布参数电路实现,如采用一定形状的高阻微带线来实现,也可以采用分立集总参数元件如贴片电感、线绕电感等。

使用分布参数电容的微带高通滤波器,串联电容一般由带线缝隙电容或交指电容实现,高频损耗小,但由于带线尺寸大小受到限制、带线间的缝隙也受到工艺条件制约,不可能太小,这种分布参数电路实现的电容容值很小,对应的微带高通滤波器很难工作于较低的截止频率。使用分立集总元件的微带高通滤波器,电容和电感元件一般需要通过焊接、粘接等工艺互连到微带传输线中,通过不同参数的电容和电感的组合来形成所需的微带高通滤波器,电容、电感取值范围大,易于实现较低截止频率的高通滤波器,但分立集总元件寄生参数大,很难应用于较高频段,一般使用频率上限仅能达到几个GHz。同时,分立集总元件容差大,实测结果与理论设计结果相差较大。

因此,能否设计一种新型的微带高通滤波器以克服上述缺陷,成为本领域技术人员有待解决的技术难题。

发明内容

鉴于现有技术的上述缺陷,本发明旨在提供一种准分布参数微带高通滤波器,以克服传统微带高通滤波器的不足,兼具分布参数与集总参数滤波器的优点,可使用的电容容值范围大,高频损耗小,应用范围广,并联电感和串联电容均可高精度实现。

本发明是这样实现的,该准分布参数微带高通滤波器包括:

绝缘介质基片;

信号输入端和信号输出端,形成于所述的绝缘介质基片之上;

多个集成于微带线的电容,形成于所述的绝缘介质基片之上,所述的多个电容彼此串联且连接于所述的信号输入端和信号输出端之间;

至少一个微带线电感,形成于所述的绝缘介质基片之上,所述的微带线电感的一端通过主路微带线与电容相连,另一端接地。

在一些技术方案中,绝缘介质基片为平板状,微带线、电容和微带线电感通过薄膜光刻形成,电容为薄膜电容。

在一些技术方案中,绝缘介质基片为氧化铝基片、人造白宝石基片、氮化铝基片等硬质微波基片,厚度介于0.1mm-1mm之间。

在一些技术方案中,薄膜电容的介质材料为聚酰亚胺。

在一些技术方案中,微带线电感通过金属化过孔接地。

在一些技术方案中,为7阶滤波器,包括4个串联薄膜电容和3个并联电感。

在一些技术方案中,微带线电感由高阻抗微带线实现,微带线可以是直线、螺旋或折线形状。

与现有技术相比,本发明的有益效果如下:

1)所使用的串联电容是集成于微带线中的薄膜电容,可使用的电容容值范围大,进而使得高通滤波器的截止频率既可以工作于较低频率,也可以工作于很高的频率;

2)滤波器中的微带传输线、电容及电感等元件均通过薄膜光刻工艺实现,参数精度高且易控制;

3)集成度好、插损低,兼具分布参数与集总参数滤波器的优点;

4)制作工艺精度高,该类型滤波器设计与实测结果非常接近。

以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明,以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

图1为本发明的一种准分布参数微带高通滤波器一具体实施方式的结构示意图。

图2为图1的等效电路图。

具体实施方式

如图1所示为本发明一具体实施方式,该准分布参数微带高通滤波器包括:

a、绝缘介质基片;

b、信号输入端和信号输出端,形成于所述的绝缘介质基片之上;

c、多个集成于微带线的电容,形成于所述的绝缘介质基片之上,所述的多个电容彼此串联且连接于所述的信号输入端和信号输出端之间;

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