[发明专利]基于重构-等效啁啾以及串联技术的低成本可调谐半导体激光器的方法及装置

权利要求书

1.基于串联方式实现低成本可调谐分布反馈(DFB)半导体激光器的方法，激光器光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的采样布拉格光栅，其特征在于采用串联结合的方式将不同工作波长的基于重构-等效啁啾技术的DFB激光器集成在一起，通过电流来选择其中的一个激光器工作，并且可以通过调节电流或者温度来控制该激光器的工作波长，从而实现激光器工作波长的连续调谐。 

2.根据权利要求1所述的基于串联方式实现低成本可调谐分布反馈半导体激光器的方法，其特征在于串联激光器之间采用一个电隔离区来减小相邻两个激光器之间的串扰，从而实现对每个激光器的独立控制。 

3.根据权利要求1或2所述的基于串联方式实现低成本可调谐分布反馈半导体激光器的方法，其特征在于所述的串联激光器的个数在2到20个范围以内，相邻激光器的波长间隔在1nm到5nm范围以内，激光器的工作波长可以在60nm的范围以内连续调谐。 

4.根据权利要求1或2所述的基于串联方式实现低成本可调谐分布反馈半导体激光器的方法，其特征在于所述的串联激光器中单个的激光器采用等效啁啾和等效相移的方法来设计和制作，相移位置在取样光栅中心的±40％区域内。 

5.根据权利要求1或2所述的基于串联方式实现低成本可调谐分布反馈半导体激光器的方法，其特征在于所述激光器中分布反馈结构采用侧向耦合光栅结构，其光栅位于脊波导两侧。 

6.根据权利要求1或2所述的基于串联方式实现低成本可调谐分布反馈半导体激光器的方法，其特征在于所述激光器两端采用抗反射膜，抗反射膜的端面反射率范围在10^-5到10％范围以内。 

7.基于串联方式制备的低成本可调谐分布反馈(DFB)半导体激光器，其中单个激光器是基于重构-等效啁啾技术的DFB激光器，其特征在于相邻激光器之间通过电隔离区来减少串扰。 

8.根据权利要求7所述的基于串联方式制备的低成本可调谐分布反馈半导体激光器，其特征在于：电隔离区制作方式是将激光器相应区域的欧姆接触层InGaAsP和脊波导层InP通过干法或者湿法方式刻蚀掉，然后覆盖厚度为100nm到300nm范围以内的绝缘材料SiO₂，隔离区的宽度在5um到80um范围以内。 

9.根据权利要求7所述的基于串联方式制备的低成本可调谐分布反馈半导体激光器，其特征在于：电隔离区制作方式是将激光器相应区域的欧姆接触层InGaAsP通过干法或者湿法方式刻蚀掉，再在此区域进行离子注入，之后覆盖厚度为100nm到300nm范围以内的绝缘材料SiO2.，隔离区的宽度在2um到15um范围以内。 

10.根据权利要求7、8或9所述的基于串联方式制备的低成本可调谐分布反馈半导体激光器，其特征在于所述激光器中单个激光器是采用等效相移方法来设计和制作的激光器，其相移位置在取样光栅中心的±40％区域内。 

11.根据权利要求7、8或9所述的基于串联方式制备的低成本可调谐分布反馈半导体激光器，其特 征在于所述激光器是采用侧向耦合光栅结构制作的激光器。 

12.根据权利要求7、8或9所述的基于串联方式制备的低成本可调谐分布反馈半导体激光器，其特征在于所述激光器是两端镀了抗反射膜的激光器，抗反射膜的端面反射率范围在10-5到10％范围以内。