[发明专利]一种电容器阴极箔和电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器阴极箔，由内至外分别为可氧化金属层、金属氧化层和电解质层，其特征在于：

所述可氧化金属层的材质为阀金属或钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒的合金及化合物；

所述电解质层为含有导电聚合物的固体电解质，所述导电聚合物为具有通式（Ⅰ）或（Ⅱ）的重复单元，或通式（Ⅰ）和（Ⅱ）的重复单元的聚噻吩；

其中，

A表示任选取代的C1-C5亚烷基；

R表示直链或支链任选取代的C1-C18烷基、任选取代的C5-C12环烷基、任选取代的C6-C14芳基、任选取代的C7-C18芳烷基、任选取代的C1-C4羟基烷基或羟基；

X表示0-8的整数；

所述导电聚合物通过电化学聚合的方法覆在金属氧化层上形成导电聚合物膜，所述导电聚合物膜的厚度为100-1000μm。

2.根据权利要求1所述的电容器阴极箔，其特征在于，所述导电聚合物为聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺。

3.根据权利要求1所述的电容器阴极箔，其特征在于，所述导电聚合物为聚（3，4-亚乙基二氧噻吩）。

4.一种电容器，其特征在于，包括阴极箔，所述阴极箔由内至外分别为可氧化金属层、金属氧化层和电解质层；

所述可氧化金属层的材质为阀金属或钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒的合金及化合物；

所述电解质层为含有导电聚合物的固体电解质，所述导电聚合物为具有通式（Ⅰ）或（Ⅱ）的重复单元，或通式（Ⅰ）和（Ⅱ）的重复单元的聚噻吩；

其中，

A表示任选取代的C1-C5亚烷基；

R表示直链或支链任选取代的C1-C18烷基、任选取代的C5-C12环烷基、任选取代的C6-C14芳基、任选取代的C7-C18芳烷基、任选取代的C1-C4羟基烷基或羟基；

X表示0-8的整数；

所述导电聚合物通过电化学聚合的方法覆在金属氧化层上形成导电聚合物膜，所述导电聚合物膜的厚度为100-1000μm。

5.一种电容器阴极箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）选取阀金属或钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒的合金及化合物作为可氧化金属层；

2）选取步骤1中可氧化金属的氧化物作为金属氧化层；

3）采用电化学聚合方法将导电聚合物覆在金属氧化层上，所述导电聚合物为具有通式（Ⅰ）或（Ⅱ）的重复单元，或通式（Ⅰ）和（Ⅱ）的重复单元的聚噻吩；

其中，

A表示任选取代的C1-C5亚烷基；

R表示直链或支链任选取代的C1-C18烷基、任选取代的C5-C12环烷基、任选取代的C6-C14芳基、任选取代的C7-C18芳烷基、任选取代的C1-C4羟基烷基或羟基；

X表示0-8的整数；

所述导电聚合物通过电化学聚合的方法覆在金属氧化层上形成导电聚合物膜，所述导电聚合物膜的厚度为100-1000μm，聚合时间为150-500s。

6.根据权利要求5所述的电容器阴极箔的制备方法，其特征在于，步骤3）中电化学氧化聚合在-85℃-320℃所用溶剂沸点的温度下进行。

7.根据权利要求5所述的电容器阴极箔的制备方法，其特征在于，步骤3）中点化学氧化聚合前在溶液中进一步加入电解质添加剂，所述电解质添加剂为游离酸。

8.根据权利要求7所述的电容器阴极箔的制备方法，其特征在于，所述游离酸为对甲苯磺酸、甲磺酸和与烷磺酸盐、芳族磺酸盐、四氟硼酸盐、六氟磷酸盐、高氯酸盐、六氟锑酸盐、六氟砷酸盐及六氟锑酸盐阴离子的盐和碱金属、碱土金属或任选烷基化的铵、鏻、锍和氧鎓阳离子。