[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si₃N₄层；

B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在步骤A中Si₃N₄层上磁控溅射AZO层；

C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；

D、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层；

E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层；

F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层；

G、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤F中的AZO层上磁控溅射Ag层；

H、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤G中的Ag层上磁控溅射AZO层；

I、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤H中的AZO层上磁控溅射Si₃N₄层。

2.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Si₃N₄层的厚度为20～25nm，所述硅铝旋转靶中Si:Al的摩尔比为92:8，交流电源的功率100～125KW，需用两个阴极溅射，每个阴极50～65KW。

3.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述AZO层的厚度为20～25nm，氧化锌陶瓷靶中按重量百分比掺铝2%，交流电源的功率为20～25KW。

4.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述的直流电源的溅射功率4～5KW。

5.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述AZO层的厚度为50～65nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率50～65KW。

6.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率4～5KW。

7.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述AZO层的厚度为50～65nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20～25KW。

8.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率为4～5KW。

9.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述AZO层的厚度为20～25nm；交流电源的溅射功率为20～25KW。

10.根据权利要求1所述的一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于步骤I中所述Si₃N₄层的厚度为30～35nm；其中氩气与氮气的体积比为5:6，交流电源溅射功率150～165KW，需用两个阴极溅射，每个阴极75～85KW。