[发明专利]晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆在审
| 申请号： | 201310551934.X | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811301A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杉村敏正;田中俊平;高桥智一;秋月伸也 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加工 方法 通过 得到 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆的加工方法，其包括：
粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；
辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；
清洗工序，用溶剂清洗该晶圆和加工用粘合片；和
加工工序，加工该晶圆，
在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。
2.根据权利要求1所述的晶圆的加工方法，其中，在所述辐射线照射工序中，从所述粘合片的粘合剂层侧照射该辐射线。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆的加工方法，其中，在所述粘合片粘贴工序中，该粘合片为粘贴到晶圆加工用环上的粘合片。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆的加工方法，其中，在所述辐射线照射工序中，仅对所述粘合剂层的不与晶圆接触的部分照射该辐射线。
5.根据权利要求3所述的晶圆的加工方法，其中，在所述辐射线照射工序中，仅对所述粘合剂层的不与晶圆和/或晶圆加工用环接触的部分照射该辐射线。
6.一种晶圆，其是通过权利要求1所述的晶圆加工方法加工而成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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