[发明专利]一种带有支撑保护结构的封装结构

权利要求书

1.一种带有支撑保护结构的封装结构，至少包括两层芯片，其特征在于，两层芯片之间实现互连，并且在其中一层芯片上引出对外的接口，第二层芯片通过堆叠结构堆叠在第一层芯片上，并在第一层芯片和第二层芯片之间形成密闭的空腔。

2.根据权利要求1所述的带有支撑保护结构的封装结构，其特征在于，所述第一层芯片包括第一硅基板（11）、芯片钝化层（12）、芯片焊垫（13）、焊垫开口（14）、第一钝化层（15）、第一金属层（16）；所述第一硅基板（11）上有所述芯片钝化层（12）；所述芯片钝化层（12）和芯片焊垫（13）上生长有所述第一钝化层（15）；所述第一钝化层（15）在对应所述芯片焊垫（13）的位置形成焊垫开口（14）；所述焊垫开口（14）处生长有第一金属层（16）；所述第一金属层（16）上形成线路（44）；所述第一金属层（16）上生长有第二钝化层（23），所述第二钝化层（23）上有开口（24）；所述开口（24）处设有第二金属层（22）；所述第二金属层（22）作为铜凸点（31）及支撑结构（42）的电镀种子层；所述第二金属层（22）上设有铜凸点（31）和支撑结构（42）；所述铜凸点（31）顶部有锡帽（32）；所述第二层芯片与第一层芯片呈镜像结构。

3.根据权利要求2所述的带有支撑保护结构的封装结构，所述第一金属层（16）上形成桥式导通结构以实现空腔体内外的电性互连。

4.根据权利要求2所述的带有支撑保护结构的封装结构，其特征在于，所述堆叠结构包括金属共晶键合支撑层（51）；所述第一层芯片的铜凸点与支撑结构和第二层芯片的铜凸点与支撑结构相互压合，使得两层芯片的支撑结构形成金属共晶键合支撑层（51），所述金属共晶键合支撑层（51）、第一层芯片和第二层芯片之间形成密闭的空腔（52）。

5.根据权利要求1所述的带有支撑保护结构的封装结构，其特征在于，所述两层芯片中任意一层芯片作为对外电性连接的承载结构，在该层芯片的背面通过TSV加工形成对外的电性互连。

6.根据权利要求1所述的带有支撑保护结构的封装结构，其特征在于，所述第一层芯片的焊垫和第二层芯片的焊垫通过线路、铜凸点和铜通孔互连实现外部的电性互连。

7.根据权利要求1所述的带有支撑保护结构的封装结构，其特征在于，所述空腔（52）内为真空状态或充有惰性气体。