[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层材料为结构通式如下式（Ⅰ）或（Ⅱ）所示有机稠环芳烃衍生物： 

其中：Ar₁-Ar₈独立选自H、C6～C30的取代或非取代的芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠环芳烃基团、C6～C30的取代或非取代的稠杂环基团、五元、六元的杂环或取代杂环、三芳胺基基团、二苯胺基基团、芳醚团基基团、C1～C20的取代或非取代的的脂肪族烷基基团中的一种； 

X选自第Ⅴ主族或第Ⅵ主族的元素； 

且Ar₁-Ar₈不同时为H。 

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机稠环芳烃衍生物通式（Ⅰ）或（Ⅱ）中，X选自S、O、N或P。 

3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机稠环芳烃衍生物通式（Ⅰ）或（Ⅱ）中，Ar₁-Ar₈分别独立选自苯基、取代的苯基、联苯基、萘基、取代的萘基、咔唑基、取代的咔唑基、三芳胺基、二苯胺基、N-苯基萘胺基、二苯并噻吩基、取代的二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代的二苯并呋喃基。 

4.根据权利要求1-3任一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料选自以下结构式： 

5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述基片所用材料选自玻璃、硅片、金属、陶瓷或者有机高分子材料。 

6.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述基片是柔性基片。 

7.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述的半导体层的厚度在10-100nm范围内。 

8.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机薄膜晶体管中的源/漏电极或门电极厚度为10-200nm。 

9.一种制备权利要求1所述的有机薄膜晶体管的方法，具体步骤包括： 

（1）有机稠环芳烃衍生物材料的合成和提纯； 

（2）在带有门电极或源/漏电极的基片上制备绝缘层； 

（3）在绝缘层上沉积所述有机稠环芳烃衍生物材料作为器件的半导体层； 

（4）制备源/漏电极或门电极； 

（5）采用退火工艺处理器件。 

10.根据权利要求9所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机稠环芳烃衍生物薄膜层是在真空腔室中蒸镀制备的，蒸镀速度为 

11.根据权利要求9所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机稠环芳烃衍生物薄膜层是通过把所述有机稠环芳烃衍生物溶解在溶 剂中，通过旋涂、喷墨打印和印刷湿法制备的。 

12.根据权利要求9所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火工艺步骤中控制温度为50℃至120℃，退火时间为1-4小时。