[发明专利]电力转换系统有效

专利信息
申请号: 201310553021.1 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN103812348A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 平野高弘;寺田康晴 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;李春晖
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电力 转换 系统
【权利要求书】:

1.一种电力转换系统,所述电力转换系统包括初级转换电路(20)和通过变压器(400)磁耦合到所述初级转换电路的次级转换电路(30),并且被配置成在所述初级转换电路的两个输入/输出端口(PA、PC)和所述次级转换电路的两个输入/输出端口(PB、PD)形成的四个输入/输出端口中的任何两个输入/输出端口之间执行电力转换,

其特征在于,所述电力转换系统包括使构成所述变压器的线圈的各个末端短路的旁路电路(220、320)。

2.根据权利要求1所述的电力转换系统,其中所述变压器(400)是中心抽头变压器。

3.根据权利要求2所述的电力转换系统,其中所述初级转换电路(20)被配置成包括初级全桥电路(200),以及

所述初级全桥电路(200)被配置成包括所述变压器(400)的初级线圈(202)、初级磁耦合电抗器(204)、初级第一上臂(U1)、初级第一下臂(/U1)、初级第二上臂(V1)和初级第二下臂(/V1)。

4.根据权利要求3所述的电力转换系统,其中所述初级第一上臂(U1)、所述初级第一下臂(/U1)、所述初级第二上臂(V1)和所述初级第二下臂(/V1)是开关元件,这些开关元件分别被配置成包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和用作所述N沟道MOSFET的寄生元件的体二极管。

5.根据权利要求3或4所述的电力转换系统,其中所述旁路电路是设置在所述初级转换电路中的初级旁路电路(220),以及

所述初级旁路电路包括短路结构,所述短路结构在不经过所述变压器(400)的所述初级线圈(202)的情况下将所述初级磁耦合电抗器(204)直接连接到中心抽头(202m)。

6.根据权利要求5所述的电力转换系统,其中所述初级旁路电路(220)的所述短路结构包括初级第一短路控制元件(X1)和初级第二短路控制元件(Y1),所述初级第一短路控制元件(X1)能够使初级第一绕组(202a)的各个末端短路,所述初级第二短路控制元件(Y1)能够使初级第二绕组(202b)的各个末端短路,以及

所述初级第一短路控制元件(X1)和所述初级第二短路控制元件(Y1)之间的中间连接点(220b)连接到中心抽头(202m)。

7.根据权利要求2所述的电力转换系统,其中所述次级转换电路(30)被配置成包括次级全桥电路(300),以及

所述次级全桥电路(300)被配置成包括所述变压器(400)的次级线圈(302)、次级磁耦合电抗器(304)、次级第一上臂(U2)、次级第一下臂(/U2)、次级第二上臂(V2)和次级第二下臂(/V2)。

8.根据权利要求7所述的电力转换系统,其中所述次级第一上臂(U2)、所述次级第一下臂(/U2)、所述次级第二上臂(V2)和所述次级第二下臂(/V2)是开关元件,这些开关元件分别被配置成包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和用作N沟道MOSFET的寄生元件的体二极管。

9.根据权利要求7或8所述的电力转换系统,其中所述旁路电路是设置在所述次级转换电路中的次级旁路电路(320),以及

所述次级旁路电路包括短路结构,所述短路结构在不经过所述变压器(400)的所述次级线圈(302)的情况下将所述次级磁耦合电抗器(304)直接连接到中心抽头(302m)。

10.根据权利要求9所述的电力转换系统,其中所述次级旁路电路(320)的所述短路结构包括次级第一短路控制元件(X2)和次级第二短路控制元件(Y2),所述次级第一短路控制元件(X2)能够使次级第一绕组(302a)的各个末端短路,所述次级第二短路控制元件(Y2)能够使次级第二绕组(302b)的各个末端短路,以及

所述次级第一短路控制元件(X2)和所述次级第二短路控制元件(Y2)之间的中间连接点(320b)连接到中心抽头(302m)。

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