[发明专利]制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法

权利要求书

1.一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法，其特征在于，包括： 

步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构； 

步骤B，对所述GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构； 

步骤C，对所述多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与所述衬底接触的P电极和N电极； 

步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及 

步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。 

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述GaN外延结构自下而上依次包括：低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层、P-GaN层，所述步骤C包括： 

子步骤C1，对多个独立的小LED材料结构进行台面刻蚀，刻蚀掉一侧的P-GaN层和多量子阱发光层，形成台面； 

子步骤C2，在多个独立的小LED材料结构上所述台面位置之外的位置形成P电极； 

子步骤C3，在所述台面上形成N电极；以及 

子步骤C4，淀积第一绝缘层，对第一绝缘层腐蚀露出P电极和N电极，多个独立的小LED材料结构其余部分被第一绝缘层所保护。 

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤C1中，所述台面的刻蚀深度1200nm～1500nm。 

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤C2包括： 

采用电子束蒸发法蒸镀Ni/Ag/Pt/Au薄膜； 

选用负型光刻胶光刻，在未经台面刻蚀的多个独立的小LED材料结构上形成P电极。 

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤C2包括： 

采用电子束蒸发法蒸镀金属Cr/Pt/Au薄膜； 

选用负型光刻胶光刻，在台面上形成N电极。 

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤D包括： 

子步骤D1，在多个倒装LED芯片上制备第二绝缘层，经过光刻和刻蚀工艺步骤，露出一部分P电极和N电极； 

子步骤D2，在绝缘层10上光刻形成电极串并连图形； 

子步骤D3，淀积第三绝缘层，光刻腐蚀第三绝缘层，露出倒装集成芯片的所有电极，其余部分被第三绝缘层所保护。 

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述子步骤D2包括： 

采用电子束蒸发法蒸镀金属Cr/Pt/Au薄膜； 

对预设位置的金属Cr/Pt/Au薄膜剥离后，形成倒装集成芯片的电极图形，该电极图形包括倒装集成芯片并联P电极、倒装集成芯片PN串联电极和倒装集成芯片并联N电极。 

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为光敏型聚酰亚胺或SiO₂凝胶。 

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤B包括： 

子步骤B1，在所述GaN外延结构上淀积SiO₂薄膜，作为ICP深刻蚀的掩模； 

子步骤B2，在所述SiO₂薄膜上涂敷光刻胶，光刻腐蚀SiO₂，露出ICP深刻蚀的跑道位置，形成SiO₂掩模；以及 

子步骤B3，利用所述SiO₂掩模对所述GaN外延结构进行ICP深刻蚀，刻蚀掉跑道位置的GaN外延材料，露出衬底，从而将所述GaN外延结构分割成多个独立的小LED材料结构。 

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料为：蓝宝石、SiC、Si或GaN。