[发明专利]一种DC-DC转换电路和DC-DC芯片

权利要求书

1.一种DC-DC转换电路，包括控制所述DC-DC转换电路软启动周期的振荡电路，所述振荡电路包括与充电电源连接的充放电模块，其特征在于，所述DC-DC转换电路还包括：

第一电源端和第二电源端分别与所述DC-DC转换电路的参考电压输出端和电压反馈端连接，输入端与所述充放电模块的充电线路连接，输出端接地，用于根据所述DC-DC转换电路的反馈电压的变化对所述充放电模块在充电过程中的电流进行分流以调节所述振荡周期的分流模块。

2.如权利要求1所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述振荡电路还包括生成振荡信号的振荡器。

3.如权利要求1所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述充放电模块包括至少一个充放电电容。

4.如权利要求1所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述分流模块包括第一运算放大器以及第一开关管；

所述第一运算放大器的反相输入端为所述分流模块的第一电源端，所述第一运算放大器的正相输入端为所述分流模块的第二电源端，所述运算放大器的输出端与所述第一开关管的控制端连接，所述第一开关管的高电位端为所述分流模块的输入端，所述第一开关管的低电位端为所述分流模块的输出端。

5.如权利要求4所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述第一开关管为第一NMOS管；

所述第一NMOS管的栅极为所述第一开关管的控制端，所述第一NMOS管的漏极为所述第一开关管的高电位端，所述第一NMOS管的源极为所述第一开关管的低电位端。

6.如权利要求4所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述第一开关管为第一NPN型三极管；

所述第一NPN型三极管的基极为所述第一开关管的控制端，所述第一NPN型三极管的基极为所述第一开关管的高电位端，所述第一NPN型三极管的发射极为所述第一开关管的低电位端。

7.如权利要求1所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述分流模块包括：

第一PMOS场效应管、第二PMOS场效应管、第三PMOS场效应管、第四NMOS场效应管以及第二开关管；

所述第一PMOS场效应管的栅极为所述分流模块的第一电源端，所述第一PMOS场效应管的源极与所述第二PMOS场效应管的漏极以及所述第三PMOS场效应管的源极连接，所述第二PMOS场效应管的栅极与所述DC-DC转换电路的偏置电流输出端连接，所述第二PMOS场效应管的源极与所述DC-DC转换电路的电源端连接，所述第三PMOS场效应管的栅极为所述分流模块的第二电源端，所述第三PMOS场效应管的漏极与所述第四NMOS场效应管的漏极以及所述第四NMOS场效应管的栅极连接，所述第一PMOS场效应管的漏极与所述第四NMOS场效应管的源极共接于所述第二开关管的低电位端，所述第四NMOS场效应管的栅极与所述第二开关管的控制端连接，所述第二开关管的高电位端为所述分流模块的输入端，所述第二开关管的低电位端为所述第二开关管的低电位端。

8.如权利要求7所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述第二开关管为第二NMOS管；

所述第二NMOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述第二NMOS管的漏极为所述第二开关管的高电位端，所述第二NMOS管的源极为所述第二开关管的低电位端。

9.如权利要求7所述的DC-DC转换电路，其特征在于，所述第二开关管为第二NPN型三极管；

所述第二NPN型三极管的基极为所述第二开关管的控制端，所述第二NPN型三极管的基极为所述第二开关管的高电位端，所述第二NPN型三极管的发射极为所述第二开关管的低电位端。

10.一种DC-DC芯片，其特征在于，所述DC-DC芯片包括如权利要求1-9任一所述的DC-DC转换电路。