[发明专利]减小金属层刻蚀损伤的方法在审
| 申请号： | 201310554657.8 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103646911A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 段成文;曾林华;任昱;吕煜坤;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 金属 刻蚀 损伤 方法 | ||
1.一种减小金属层刻蚀损伤的方法，应用于大马士革刻蚀工艺流程中，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体器件，所述半导体器件包括一金属层，及所述金属层上方自下而上顺序依次沉积的阻挡层、第一介质层、第二介质层、和金属硬掩膜层；
利用光刻工艺依次刻蚀所述金属硬掩膜层、第二介质层至所述第一介质层内，形成沟槽；
然后再次进行光刻工艺刻蚀去除部分剩余第一介质层至所述阻挡层的上表面，形成通孔图案；
然后采用分布刻蚀的方法去除通孔底部的阻挡层，以在通孔底部暴露出所述金属层，减小刻蚀阻挡层时对所述金属层造成的损伤；
其中，采用两步刻蚀工艺刻蚀去除所述通孔图案下方的阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀形成通孔图案后，调节刻蚀的选择比，继续对通孔图案下方的阻挡层进行刻蚀，去除所述通孔图案下方的部分阻挡层；然后再采用低轰击性且刻蚀速率较低的干法刻蚀工艺刻蚀去除通孔剩余的阻挡层，暴露出所述底部的金属层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层材质为铜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层皆为低介电常数层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为FSG或SiCOH或其他低介电常数材料。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二介质层为SiO2或SiNO或其他低介电常数材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为SiCN。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层为TiN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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