[发明专利]氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201310555496.4 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545405A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张东炎;王笃祥;刘晓峰;陈沙沙;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 | ||
1.氮化物发光二极管，包括：
衬底；
n型氮化物层，形成于所述衬底之上；
发光层，形成于n型氮化物层之上；
p型氮化物层，形成于所述发光层之上；
p+型氮化物层，形成于所述p型氮化物层之上；
氮化铟铝镓渐变层，形成于高p+型氮化物层之上；
n+型氮化物层、形成于所述氮化铟铝镓渐变层之上；
所述p+型氮化物层、氮化铟铝镓渐变插入层和n+型氮化物层构成隧穿结。
2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层与所述n+型氮化物层、p+型氮化物层的界面处具有因晶格失配而产生的极化电荷。
3.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层的带隙宽度大于所述发光层带隙宽度。
4.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述p+型氮化物层、n+型氮化物层的禁带宽度大于所述氮化铟铝镓层禁带宽度。
5.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层的组分为渐变的。
6.根据权利要求5所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层中，铟组分呈先递增、再递减的倒立V型渐变结构，在氮化铟铝镓层的正中心具有最高铟组分。
7.根据权利要求5所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层中，铟组分呈先递增、接着保持不变、再递减的梯形渐变结构。
8.根据权利要求5所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层中，铝组分呈先递减、再递增的梯形渐变结构。
9.根据权利要求5所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层中，铝组分呈先递减、接着保持不变，再递增的梯形渐变结构。
10.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层的厚度为0.1~20 nm。
11.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述p+型层掺杂浓度为1E19~1E21cm-3，厚度为0.1~20 nm。
12.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述n+型层掺杂浓度为1E19~1E21cm-3，厚度为0.1~20 nm。
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