[发明专利]一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法有效
| 申请号： | 201310556902.9 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103560096A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王子昊;曹亮;崔德国;谈捷;刘城 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 化合物 半导体 进行 方法 | ||
1.一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：
（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；
（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。
2.根据权利要求1所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述化合物半导体为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。
3.根据权利要求2所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体为砷化镓和/或磷化铟。
4.根据权利要求1-3任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，对所述硅基半导体进行RCA清洗。
5.根据权利要求1-4任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，在所述步骤（2）中，对所述化合物半导体进行如下清洗：将所述化合物半导体浸入质量浓度37%的盐酸和去离子水以体积比1:10组成的混合溶液中，之后再依次在丙酮、异丙醇、甲醇、去离子水中进行各1分钟的超声波清洗。
6.根据权利要求1-5任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述热压键合的温度程序设置为：首先以5℃·min-1的升温速率将温度从50升至200-300℃，恒温60min，之后将温度降至50℃并保持30min。
7.根据权利要求1-6任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，在对化合物半导体进行清洗后，在其表面镀钯，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持两个钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。
8.根据权利要求1-7任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述钯层的厚度为250nm-500nm。
9.根据权利要求1-8任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述热压键合在洁净度不低于1000的无尘室中进行。
10.根据权利要求1-9任一所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述热压键合的压力为2000-5000mbar。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
