[发明专利]一种透明电容

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种透明电容。

背景技术

在显示领域，特别是有源矩阵显示面板领域，有源矩阵显示面板包括用于驱动像素单元的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上的像素电极以及电连接像素电极的存储电容器。存储电容器用于存储电荷，通常包括电容下电极、电容上电极以及两者之间的绝缘介质。在有源矩阵显示面板中，可利用透明材料制作透明薄膜晶体管，例如ZnO等材料，这样可以提高显示面板的整体透明度，提高光取出效率，而用于存储电荷的存储电容器通常都采用常规材料进行制造，常用的材料不透明，因此会遮光，从而影响显示面板的透明度，进而影响整个显示面板的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术的问题，提出了一种透明电容。其应用于有源矩阵显示面板中并用作存储电容器，透明电容的下电极、上电极以及其间的绝缘介质都为透明材料，对光的透过性良好，不遮光，从而可提高整个显示面板的光分布性以及透光性，进而提高显示面板的性能。

本发明提出的透明电容包括：

第一透明电极1；

位于第一透明电极1上的透明绝缘介质层2；以及

位于透明绝缘介质层2上的第二透明电极3。

附图说明

附图1为本发明提出的透明电容的整体结构。

具体实施方式

以下参考图1详细说明本发明的透明电容的结构及其制造方法。为清楚起见，附图中所示的各个结构均未按比例绘制，且本发明并不限于图中所示结构。

如图1中所示，本发明的透明电容包括第一透明电极1，其用作透明电容的下电极；位于第一透明电极1上的透明绝缘介质层2，其用作透明电容的电荷存储部；以及位于透明绝缘介质层2上的第二透明电极3，其用作透明电容的上电极。

其中第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以是具有透明导电性的材料，例如TCO（透明导电氧化物），具体可以是ITO（氧化铟锡）、ZnO（氧化锌）、SnO₂（氧化锡）、FTO（氟掺杂铟氧化物）、ATO（锑掺杂铟氧化物）、AZO（铝掺杂锌氧化物）中的一种或多种或上述材料的复合薄膜。第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以相同或不同，且它们的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。

透明绝缘介质层2的材料可以是透明无机材料或透明有机材料，优选透明有机材料，具体包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亚甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）等等，或上述材料的复合膜，且透明绝缘介质层2的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。

以下说明图1中的透明电容的制造方法。

步骤一：形成第一透明电极1；

步骤二：在第一透明电极1上通过涂覆、丝网印刷等工艺形成透明绝缘介质层2；

步骤三：在透明绝缘介质层2上通过蒸镀或溅射等工艺形成第二透明电极3。

其中第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以是具有透明导电性的材料，例如TCO（透明导电氧化物），具体可以是ITO（氧化铟锡）、ZnO（氧化锌）、SnO₂（氧化锡）、FTO（氟掺杂铟氧化物）、ATO（锑掺杂铟氧化物）、AZO（铝掺杂锌氧化物）。第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以相同或不同，且它们的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。

透明绝缘介质层2的材料可以是透明无机材料或透明有机材料，优选透明有机材料，具体包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亚甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）等等，且透明绝缘介质层2的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。

至此，上文已经详细的说明了本发明的透明电容及其制造方法，相对于现有方法制得的电容，本发明的透明电容由于其下电极、上电极以及其间的绝缘介质都为透明材料，因此对光的透过性良好，不遮光，从而可提高整个显示面板的光分布性以及透光性，进而提高显示面板的性能。上文所述实施例仅是本发明的优选实施例，其旨在对本发明进行说明而非对其进行限定。在不脱离本发明所附权利要求的精神和范围的情况下，本领域技术人员显然可对本发明做出任何改变和改进，且本发明的保护范围由所附权利要求进行限定。