[发明专利]GM‑CSF受体结合元件

权利要求书

1.一种分离的人粒细胞／巨噬细胞集落刺激因子受体α链(GM-CSFRα)的结合元件，其中，所述结合元件：

抑制GM-CSF与GM-CSFRα的结合；和

在表面等离子共振试验中，以低于5nM的K_D结合人GM-CSFRα；

且其中所述结合元件包含：

一组VH互补决定区(CDR)：包含SEQ ID NO：53的VH CDR1、包含SEQ ID NO：54的VH CDR2和包含SEQ ID NO：55的VH CDR3，任选地在所述VH CDR组中、在抗体VH域框架或蛋白质骨架中具有最多10个氨基酸取代，和任选地

一组VL互补决定区(CDR)：包含SEQ ID NO：58的VL CDR1、包含SEQ ID NO：59的VL CDR2和包含SEQ ID NO：60的VL CDR3，任选地在所述VL CDR组中、在抗体VL域框架或蛋白质骨架中具有最多10个氨基酸取代。

2.根据权利要求1所述的结合元件，其中所述结合元件包含具有VH CDR1、VH CDR2和VH CDR3的抗体VH域和具有VL CDR1、VL CDR2和VL CDR3的抗体VL域。

3.根据权利要求2所述的结合元件，其中所述VH域包含：

在VH域框架的Kabat残基H17处的S；

在VH CDR1的Kabat残基H34处的I；

在VH CDR2的Kabat残基H54处的E；

在VH CDR2的Kabat残基H57处的I；

在VH域框架的Kabat残基H94处的I、L、V、A或M；

在VH CDR3的Kabat残基H95处的V、N、A或L；

在VH CDR3的Kabat残基H97处的S；

在VH CDR3的Kabat残基H99处的S、F、H、P、T或W；

在VH CDR3的Kabat残基H100B处的A、T、P、S、V或H。

4.根据权利要求2或3所述的结合元件，其中所述VL域包含：

在VL CDR1的Kabat残基27A处的S；

在VL CDR1的Kabat残基27B处的N；

在VL CDR1的Kabat残基27C处的I；

在VL CDR1的Kabat残基32处的D；

在VL CDR2的Kabat残基51处的N；

在VL CDR2的Kabat残基52处的N；

在VL CDR2的Kabat残基53处的K；

在VL CDR3的Kabat残基L90处的S、T或M；

在VL CDR3的Kabat残基L92处的D、E、Q、S、M或T；和／或

在VL CDR3的Kabat残基L96处的S、P、I或V。