[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在形成于基板的半导体层上形成第一层的工序；

在所述第一层上形成第二层的工序；

在所述第二层的上方形成被构图后的掩模的工序；

对所述第二层的未被所述掩模覆盖的部分进行刻蚀的工序；

对所述第一层进行湿法刻蚀，使所述第一层的宽度比所述掩模的宽度短的湿法刻蚀工序；

将所述掩模除去的工序；

在将所述掩模除去的工序之后，在所述半导体层上和所述第二层上，以所述半导体层上的绝缘层和所述第二层上的绝缘层不相连接的方式形成绝缘层的工序；

将所述第一层和所述第二层除去，在所述绝缘层形成开口的工序；以及

在所述半导体层的表面的从所述开口露出的部分形成电极的工序，

所述第一层的在所述湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比所述第二层的在所述湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一层由SiO形成，

所述第二层由SiN形成，

在所述湿法刻蚀工序中使用含有氢氟酸的药液。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在形成有半导体层的基板上形成Si氧化物的工序；

在所述Si氧化物上形成被构图后的掩模的工序；

对从所述掩模露出的所述Si氧化物实施灰化处理，在所述Si氧化物中以不到达所述Si氧化物的底面的方式形成富氧部的工序；

在形成所述富氧部之后将所述掩模除去的工序；

使所述富氧部残留并且对所述Si氧化物进行湿法刻蚀，使所述富氧部的正下方的所述Si氧化物的宽度比所述富氧部的宽度短的湿法刻蚀工序；

在所述湿法刻蚀工序之后，在所述半导体层上形成绝缘层的工序；

将所述Si氧化物和所述富氧部除去，在所述绝缘层形成开口的工序；以及

在所述半导体层的表面的从所述开口露出的部分形成电极的工序。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述Si氧化物由SiO形成，

在所述湿法刻蚀工序中使用含有氢氟酸的药液。