[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：

一氧化物半导体层，配置于该基板上，该氧化物半导体层包括一通道区以及多个低氧区，该通道区位于该多个低氧区之间；

一栅绝缘层，覆盖该通道区而暴露出该多个低氧区；

一栅极，该栅绝缘层位于该氧化物半导体层与该栅极之间；

一氧吸收层，配置于该氧化物半导体层的该多个低氧区上，并具有多个第一开口，各该第一开口暴露出具有一第一面积的其中一该低氧区；

一绝缘层，配置于该基板上，覆盖该氧吸收层、该氧化物半导体层以及该栅极，且该绝缘层具有多个第二开口，各该第二开口位于其中一该第一开口之内以暴露出具有一第二面积的其中一该低氧区，其中，该第二面积小于该第一面积；以及

多个导电电极，分别设置于该多个第二开口中以接触具有该多个第二面积的该多个低氧区。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层的材质包括镁、铝、硅、钛、钒、铬、镍、钇、锆、铌、钼、铈、钕、铪、钽、钨或上述的组合。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层的一第一部分具有一第一氧浓度，该第一部分接触于该氧化物半导体层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层更包括一第二部分，该第二部分具有一第二氧浓度，且该第一氧浓度高于该第二氧浓度。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层覆盖该栅极并且更延伸至该氧化物通道层之外。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层的厚度为2nm～20nm。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层的厚度为4nm～10nm。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧吸收层与该多个导电电极由该绝缘层分隔开来。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体层的该多个低氧区的氧浓度低于该通道区的氧浓度。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅极与该栅绝缘层共同构成一岛状结构，且该岛状结构位于该氧化物半导体层的该通道区上。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该多个导电电极的材质包括金属、金属氧化物、有机导电材料或上述的组合。

12.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

于一基板上形成一氧化物半导体层，具有一通道区及多个低氧区，且该通道区位于该多个低氧区之间；

于该基板上形成一栅绝缘层，该栅绝缘层覆盖该氧化物半导体层的该通道区；

于该基板上形成一栅极，该栅绝缘层位于该栅极与该氧化物半导体层之间；

于该基板上形成一氧吸收层，该氧吸收层接触于该氧化物半导体的该多个低氧区；

于该氧吸收层中形成多个第一开口，各该第一开口暴露出具有一第一面积的其中一该低氧区；

于该基板上形成一绝缘层，覆盖该氧吸收层、该氧化物通半导体层以及该栅极；

于该绝缘层中形成多个第二开口，各该第二开口位于其中一该第一开口之内以暴露出具有一第二面积的其中一该低氧区，其中，该第二面积小于该第一面积；以及

于该多个第二开口中形成多个导电电极。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成该氧吸收层的方法包括先将一氧吸收材料形成于该基板上，该氧吸收材料接触该氧化物半导体层的该多个低氧区以吸收该多个低氧区的氧。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成该多个第一开口的方法包括在吸收该多个低氧区的氧使该多个低氧区的氧浓度低于该通道区的氧浓度之后，进行一图案化步骤以移除部分的该氧吸收层而形成该多个第一开口。

15.如权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该图案化步骤更包括移除未接触该多个低氧区的部分的该氧吸收层。

16.如权利要求13所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该氧吸收材料包括镁、铝、硅、钛、钒、铬、镍、钇、锆、铌、钼、铈、钕、铪、钽、钨或上述的组合。