[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201310559459.0 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545382A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;吴煜东;刘可安;吴佳;史晶晶;杨勇雄 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种结势垒肖特基二极管，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有多个P型掺杂区，所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布，其特征在于，任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等。
2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于，任意三个不在同一直线上的P型掺杂区的连线构成等边三角形，且P型掺杂区位于所述等边三角形的顶点处。
3.根据权利要求1或2所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述P型掺杂区的形状为圆形或正n边形，其中，n≥4。
4.一种结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括，
提供N型半导体衬底，所述N型半导体衬底包括相对的第一表面和第二表面；
在N型半导体衬底的第一表面上生成N型外延层；
对所述N型外延层的预定局部区域进行光刻图案化，以形成P型掺杂区的离子注入窗口；其中，所述P型掺杂区的离子注入窗口包括若干个子窗口，所述子窗口呈点阵型结构分布，其中，任意两个相邻的子窗口之间的距离相等；
依据所述P型掺杂区的离子注入窗口，进行P型离子注入形成P型掺杂区；
在所述预定局部区域的外缘区域制作结终端；
在所述第二表面形成阴极欧姆接触，在所述预定局部区域的上方形成阳极金属接触。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，任意三个不在同一直线上的子窗口的连线构成等边三角形，且子窗口位于所述等边三角形的顶点处。
6.根据权利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，所述子窗口的形状为圆形或正n边形，其中，n≥4。
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