[发明专利]带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法

权利要求书

1.一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，包括：

清洗碳化硅衬底；

在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；

采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；

采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；

在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；

从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；以及

继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。

2.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述清洗碳化硅衬底采用标准RCA清洗碳化硅衬底，并用N₂吹干。

3.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜是通过干氧或者湿氧其中一种方式实现的。

4.根据权利要求3所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，使用湿氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1050℃-1150℃，热氧化时间为30分钟～120分钟。

5.根据权利要求3所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，使用干氧来形成离子注入牺牲层薄膜时，热氧化温度为1150℃-1250℃，热氧化时间为60分钟～150分钟。

6.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述离子注入牺牲层薄膜采用的材料是与所述选择性截止层的刻蚀或腐蚀选择比高于10的任意材料。

7.根据权利要求6所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述与所述选择性截止层的刻蚀或腐蚀选择比高于10的任意材料是SiO₂或Si₃N₄。

8.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或腐蚀，其中干法刻蚀使用的气体是CF₄、C₄F₈、CHF₃、SF₆中的任意一种或任意多种的混合物。

9.根据权利要求8所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀使用的气体是在CF₄、C₄F₈、CHF₃、SF₆中的任意一种或任意多种的混合物中添加O₂或Ar。

10.根据权利要求1所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述选择性截止层是非晶硅或单晶硅中的一种。

11.根据权利要求10所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述选择性截止层采用非晶硅，所述继续刻蚀或腐蚀以去除选择性截止层时，使用的刻蚀气体为HBr、Cl₂中的一种或任意混合物。

12.根据权利要求11所述的带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，其特征在于，所述选择性截止层采用非晶硅，所述继续刻蚀或腐蚀以去除选择性截止层时，使用的刻蚀气体为在HBr、Cl₂中的一种或任意混合物中添加气体SF₆或O₂。