[发明专利]一种垂直方向纳米网格结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310561224.5 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103617947A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吴文刚;张凯;马鹏程;王诣斐 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 方向 纳米 网格 结构 制备 方法 | ||
1.一种垂直方向纳米网格结构的制备方法，包括如下步骤：
（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；
（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；
（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；
（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；
（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述SiO2薄膜的厚度为20nm～142nm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述光刻胶为苏州瑞红AZ601。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述电子束曝光的条件为：加速电压为60～80kV，电子束流为1.0nA～3.0nA，光阑为15～50μm，束斑大小为1～5，曝光剂量为160～400μC/cm2。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于：所述纳米量级的线条的宽度为50nm～800nm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于：所述深反应离子刻蚀的条件为：在气压为100mTorr和刻蚀速率为2μm/min的条件下，SF6和C4F8交替进行刻蚀。
7.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于：所述纳米网格结构的垂直深度为0nm～1000nm，但不为零。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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