[发明专利]开关电源及带开关电源的话筒结构在审

专利信息
申请号: 201310561575.6 申请日: 2013-11-12
公开(公告)号: CN104638914A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 吴健逢 申请(专利权)人: 博兴电子(恩平)有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155;H04R3/00
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 黄冠华
地址: 529400 广东省江门市恩平市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关电源 话筒 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及开关电源以及带开关电源的话筒。

背景技术

现有无线话筒系统所使用的电源存在使用电压范围窄,重量重,造价贵等缺点。而一般开关电源有存在电磁干扰而难以在无线系统中得到应用。

发明内容

针对上述现有技术不足,本发明要解决的技术问题是提供一种不同于现有结构的话筒系统,降低电磁干扰,并降低成本。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为,开关电源,包括电源、开关、升压线圈、晶体管Q3、晶体管Q4和稳压二极管DZ1;电源的正极通过开关与升压线圈的中间抽头连接,电源的负极接地;升压线圈的第一端通过晶体管Q3接地,升压线圈的第二端通过晶体管Q4连接到晶体管Q3的基极;晶体管Q4的基极与稳压二极管DZ1的一端连接,稳压二极管DZ1的另一端为输出端,对外供电。这样的结构,通过升压线圈、晶体管开关管以及稳压二极管的作用,使电源电路输出稳定的脉冲电源,抗干扰效果好,而且造价低廉,性价比高。

具体地,所述晶体管Q3为NPN晶体管Q3,所述晶体管Q4为PNP晶体管P4;升压线圈的第一端与NPN晶体管Q3的集电极连接,升压线圈的第二端通过一个电阻R27与PNP晶体管Q4的发射极连接;PNP晶体管Q4的基极通过一个电阻R26与NPN晶体管Q3的发射极连接,PNP晶体管Q4的集电极与NPN晶体管Q3的基极连接,PNP晶体管Q4的集电极还通过一个电容C17与升压线圈的第二端连接;NPN晶体管Q3的发射极还接地,NPN晶体管Q3的集电极还与一个二极管D1的阳极连接,二极管D1的阴极与稳压二极管DZ1的阴极连接,稳压二极管DZ1的阳极与PNP晶体管Q4的基极连接;稳压二极管DZ1的阴极为输出端。

本发明还提出了一种应用上述开关电源的话筒结构,方案为:包括话筒、放大电路、音频处理电路和电源电路;包括电源、开关、升压线圈、晶体管Q3、晶体管Q4和稳压二极管DZ1;电源的正极通过开关与升压线圈的中间抽头连接,电源的负极接地;升压线圈的第一端通过晶体管Q3接地,升压线圈的第二端通过晶体管Q4连接到晶体管Q3的基极;晶体管Q4的基极与稳压二极管DZ1的一端连接,稳压二极管DZ1的另一端为输出端,与音频处理电路连接;话筒通过放大电路与音频处理电路连接。

具体地,所述晶体管Q3为NPN晶体管Q3,所述晶体管Q4为PNP晶体管P4;升压线圈的第一端与NPN晶体管Q3的集电极连接,升压线圈的第二端通过一个电阻R27与PNP晶体管Q4的发射极连接;PNP晶体管Q4的基极通过一个电阻R26与NPN晶体管Q3的发射极连接,PNP晶体管Q4的集电极与NPN晶体管Q3的基极连接,PNP晶体管Q4的集电极还通过一个电容C17与升压线圈的第二端连接;NPN晶体管Q3的发射极还接地,NPN晶体管Q3的集电极还与一个二极管D1的阳极连接,二极管D1的阴极与稳压二极管DZ1的阴极连接,稳压二极管DZ1的阳极与PNP晶体管Q4的基极连接;稳压二极管DZ1的阴极为输出端,与音频处理电路连接。

优选地,所述音频处理电路包括BL3207芯片和BL3102芯片;BL3207芯片的第三管脚与放大电路连接,BL3207芯片的第一管脚接地,BL3207芯片的第二管脚与BL3102芯片的第二管脚连接,BL3207芯片的第四管脚通过电容C14接地,BL3207芯片的第四管脚还与BL3102芯片的第八管脚连接;BL3207芯片的第五管脚与稳压二极管DZ1阴极连接,BL3207芯片的第五管脚还通过电解电容E3接地;BL3207芯片的第六管脚与BL3102芯片的第四管脚连接;BL3207芯片的第七管脚通过电阻R12接地;BL3207芯片的第八管脚通过电阻R13接地;BL3102芯片的第一管脚通过电容C13接地;BL3102芯片的第五管脚通过电容C16与BL3102芯片的第七管脚连接,BL3102芯片的第六管脚通过电阻R20与BL3102芯片的第七管脚连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于博兴电子(恩平)有限公司;,未经博兴电子(恩平)有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310561575.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top