[发明专利]一种薄膜沉积设备及方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于：包括接地电极板、多个激励电极板及加热电阻丝，所述接地电极板上装载有基板；所述多个激励电极板分别位于所述接地电极板两侧，所述加热电阻丝位于激励电极板表面上，通过控制接地电极板任一侧的激励电极板，将反应气体电离为等离子体，在激励电极板相对应的基板表面沉积薄膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述加热电阻丝位于所述接地电极板任一侧的激励电极板表面上。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述接地电极板上装载有多个基板。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述薄膜沉积设备的接地电极板为N个和激励电极板为N+1个，其中N为整数，且N≥1；所述接地电极板和激励电极板间隔交替放置，每一接地电极板两侧均有激励电极板。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述薄膜沉积设备在激励电极板两侧设置接地隔离板。

6.一种薄膜沉积的方法，其特征在于，包括：

在接地电极板上装载基板，将薄膜沉积设备抽至本底真空；

向薄膜沉积设备中通入反应气体，加热电阻丝为薄膜沉积提供所需的温度；

通过控制接地电极板任一侧的激励电极板，将反应气体电离为等离子体，在激励电极板相对应的基板表面沉积薄膜。

7.根据权利要求6所述的薄膜沉积的方法，其特征在于：所述基板为硅片，所述方法为制备异质结太阳能电池时在硅片上沉积薄膜，包括：

将硅片装载于接地电极板上，将薄膜沉积设备抽至本底真空；

向薄膜沉积设备中通入含硅的气体，开启加热电阻丝加热，开启没有放置加热电阻丝的激励电极板，在硅片一面先沉积上光照射面的本征非晶硅薄膜层，关掉加热电阻丝，关掉已开启的激励电极板，打开表面放置加热电阻丝的激励电极板，在硅片的另一面沉积背光面的本征非晶硅薄膜层；

向薄膜沉积设备中通入硅和P-型掺杂源气体，开启加热电阻丝加热，开启没有放置加热电阻丝的激励电极板，在已沉积光照射面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积P型非晶硅薄膜层；

循环净化薄膜沉积设备，向薄膜沉积设备中通入硅和N-型掺杂源气体，关掉加热电阻丝，关掉已开启的激励电极板，打开表面放置加热电阻丝的激励电极板，已沉积背光面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积N型非晶硅薄膜层。

8.根据权利要求6所述的薄膜沉积的方法，其特征在于：所述基板为硅片，所述方法为制备异质结太阳能电池时在硅片上沉积薄膜，包括：

将硅片装载于接地电极板上，将薄膜沉积设备抽至本底真空；

向薄膜沉积设备中通入含硅的气体，开启加热电阻丝加热，开启没有放置加热电阻丝的激励电极板，在硅片一面先沉积上光照射面的本征非晶硅薄膜层，关掉加热电阻丝，关掉已开启的激励电极板，打开表面放置加热电阻丝的激励电极板，在硅片的另一面沉积背光面的本征非晶硅薄膜层；

向薄膜沉积设备中通入硅和N-型掺杂源气体，开启加热电阻丝加热，开启没有放置加热电阻丝的激励电极板，在已沉积光照射面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积N型非晶硅薄膜层；

循环净化薄膜沉积设备，向薄膜沉积设备中通入硅和P-型掺杂源气体，关掉加热电阻丝，关掉已开启的激励电极板，打开表面放置加热电阻丝的激励电极板，已沉积背光面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积P型非晶硅薄膜层。

9.根据权利要求6所述的薄膜沉积的方法，其特征在于；所述基板为硅片，所述方法为制备异质结太阳能电池时在硅片上沉积薄膜，包括：

将硅片装载于接地电极板上，将薄膜沉积设备抽至本底真空；

向薄膜沉积设备中通入含硅的气体，开启加热电阻丝加热，开启没有放置加热电阻丝的激励电极板，在硅片一面先沉积上光照射面的本征非晶硅薄膜层，向薄膜沉积设备中通入硅和P-型掺杂源气体，在已沉积光照射面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积P型非晶硅薄膜层；

循环净化薄膜沉积设备，关掉加热电阻丝，关掉已开启的激励电极板，打开表面放置加热电阻丝的激励电极板，向薄膜沉积设备中通入含硅的气体，在硅片另一面先沉积上背光面的本征非晶硅薄膜层，向薄膜沉积设备中通入硅和N-型掺杂源气体，在已沉积背光面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积N型非晶硅薄膜层。

10.根据权利要求6所述的薄膜沉积的方法，其特征在于：所述基板为硅片，所述方法为制备异质结太阳能电池时在硅片上沉积薄膜，包括：

将硅片装载于接地电极板上，将薄膜沉积设备抽至本底真空；

向薄膜沉积设备中通入含硅的气体，开启加热电阻丝加热，开启没有放置加热电阻丝的激励电极板，在硅片一面先沉积上背光面的本征非晶硅薄膜层，向薄膜沉积设备中通入硅和N-型掺杂源气体，在已沉积背光面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积N型非晶硅薄膜层；

循环净化薄膜沉积设备，关掉加热电阻丝，关掉已开启的激励电极板，打开表面放置加热电阻丝的激励电极板，向薄膜沉积设备中通入含硅的气体，在硅片另一面先沉积上光照射面的本征非晶硅薄膜层，向薄膜沉积设备中通入硅和P-型掺杂源气体，在已沉积光照射面的本征非晶硅薄膜层的硅片面上沉积P型非晶硅薄膜层。