[发明专利]GM-CSF受体结合元件

权利要求书

1.一种分离的人粒细胞/巨噬细胞集落刺激因子受体α链(GM-CSFRα)的结合元件，其中所述结合元件包括抑制GM-CSF与GM-CSFRα的结合的抗体分子，且所述结合元件结合如SEQ ID NO：206所示人GM-CSFRα的226-230位的序列Tyr-Leu-Asp-Phe-Gln，和其中在表面等离子共振试验中，所述结合元件以低于4nM的亲和性(K_D)结合人GM-CSFRα的细胞外域。

2.根据权利要求1所述的结合元件，如通过肽结合扫描确定的，其结合包含对应于SEQ ID NO：206的226-230位的Tyr-Leu-Asp-Phe-Gln的残基足迹。

3.根据权利要求2所述的结合元件，包括抗体VH域，所述抗体VH域包含一组互补决定区CDR1、CDR2和CDR3及框架，其中，所述互补决定区组包括具有SEQ ID NO：3或SEQ ID NO：173的氨基酸序列的CDR1、具有SEQ ID NO：4的氨基酸序列的CDR2以及具有选自SEQ ID NO：5、SEQ ID NO：15、SEQ ID NO：25、SEQ ID NO：35、SEQ ID NO：45、SEQ ID NO：55、SEQ ID NO：65、SEQ ID NO：75、SEQ ID NO：85、SEQ ID NO：95、SEQ ID NO：105、SEQ ID NO：115、SEQ ID NO：125、SEQ ID NO：135、SEQ ID NO：145、SEQ ID NO：155、SEQ ID NO：165、SEQ ID NO：175、SEQ ID NO：185和SEQ ID NO：195的氨基酸序列的CDR3；

或者包含具有一个或两个氨基酸取代的该CDR序列组。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的结合元件，包括包含互补决定区CDR1、CDR2和CDR3以及框架的抗体VH域，并且其中VH CDR3中的Kabat残基H97为S。

5.根据权利要求4所述的结合元件，其中VH CDR3进一步包含一个或多个以下残基：

在Kabat残基H95处的V、N、A或L；

在Kabat残基H99处的S、F、H、P、T或W；

在Kabat残基H100B处的A、T、P、S、V或H。

6.根据权利要求5所述的结合元件，其中Kabat残基H95为V。

7.根据权利要求5或6所述的结合元件，其中Kabat残基H99为S。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的结合元件，其中Kabat残基H100B为A或T。

9.根据权利要求5所述的结合元件，其中VH CDR3具有选自SEQ ID NO：5、SEQ ID NO：15、SEQ ID NO：35、SEQ ID NO：45、SEQ ID NO：55、SEQ ID NO：65、SEQ ID NO：75、SEQ ID NO：85、SEQ ID NO：95、SEQ ID NO：105、SEQ ID NO：115、SEQ ID NO：125、SEQ ID NO：135、SEQ ID NO：145、SEQ ID NO：155、SEQ ID NO：165、SEQ ID NO：175、SEQ ID NO：185和SEQ ID NO：195的氨基酸序列。

10.根据权利要求4-9中任一项所述的结合元件，其中在VH CDR1中Kabat残基H34为I。

11.根据权利要求4-10中任一项所述的结合元件，其中VH CDR1具有SEQ ID NO：3的氨基酸序列。

12.根据权利要求4-11中任一项所述的结合元件，其中VH CDR2包含位于Kabat残基H54处的E和/或位于Kabat残基H57处的I。

13.根据权利要求4-12中任一项所述的结合元件，其中VH CDR2具有SEQ ID NO：4的氨基酸序列。

14.根据权利要求4-13中任一项所述的结合元件，其中在VH域框架中的Kabat残基H17为S。

15.根据权利要求4-14中任一项所述的结合元件，包含抗体VL域，所述抗体VL域包含互补决定区CDR1、CDR2和CDR3以及框架。