[发明专利]半导体装置与其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体层；

一氧化层，形成于该半导体层上，该氧化层包括一凹部，该凹部位于朝向该半导体层的一垂直方向上；以及

一多晶硅遮蔽层，形成于该氧化层的凹部中，该多晶硅遮蔽层包括一接口，该接口位于该凹部中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该接口在该垂直方向上具有一主轴。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该接口包括一孔隙。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该接口包括一接缝。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中该接缝包括该多晶硅遮蔽层的晶体结构中的一不连续。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括一堆叠结构，该堆叠结构位于该半导体层与该凹部之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中该堆叠结构包括氧化物多晶硅氧化物层。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一半导体层；

形成一第二半导体层于该第一半导体层上；

形成一第一硬遮蔽层于该第二半导体层上；

图案化该第一硬遮蔽层；

利用该第一硬遮蔽层刻蚀该第二半导体层；

移除该第一硬遮蔽层；以及

形成一第二硬遮蔽层，至少一部分该第二硬遮蔽层位于移除该第一硬遮蔽层之处，且该第二硬遮蔽层包括一接口。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中

该第一硬遮蔽层具有一第一抗张强度；

该第二硬遮蔽层具有一第二抗张强度；及

该第一抗张强度大于该第二抗张强度。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其中该第二硬遮蔽层对于氧化层的选择性大于该第一硬遮蔽层对于氧化层的选择性。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其中该第一硬遮蔽层包括氮化硅。

12.根据权利要求8所述的制造方法，其中该第二硬遮蔽层包括多晶硅。

13.根据权利要求8所述的制造方法，其中该些步骤以现有方式所执行。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包括以一半导体材料填满该凹部。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，还包括在填满该凹部后执行一化学机械平面化工艺。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其中该化学机械平面化工艺曝露该第一硬遮蔽层。

17.根据权利要求16所述的制造方法，其中该第一硬遮蔽层包括氮化硅，且移除该第一硬遮蔽层的步骤包括曝露该氮化硅于磷酸中。

18.根据权利要求8所述的制造方法，其中该接口包括一孔隙。

19.根据权利要求8所述的制造方法，其中该接口包括一接缝。

20.根据权利要求19所述的制造方法，其中该接缝包括该第二硬遮蔽层的晶体结构中的一不连续区。